Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 118 results.

    1.
    Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Колебательные спектры и плотность фононных состояний монослойной сверхрешетки (GaSb)1(AlSb)1 Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов

    by Прыкина, Елена Николаевна | Полыгалов, Юрий Иванович | Копытов, Анатолий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Влияние деформации и лазерного воздействия на структуру кремния М. Стрекалова

    by Стрекалова, М.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.]

    by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs Д. В. Дмитриев, Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров [и др.]

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев

    by Щеглов, Дмитрий Владимирович | Родякина, Екатерина Евгеньевна | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs (100): морфология, реконструкции и электронные свойства О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, Н. С. Рудая [и др.]

    by Терещенко, Олег Евгеньевич | Альперович, Виталий Львович | Рудая, Нина Сергеевна | Латышев, Александр Васильевич | Терехов, Александр Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of delta-doped GaAs structures. Theory and experiment V. L. Gurtovoi, V. V. Sirotkin, S. Yu. Shapoval [et.al.]

    by Gurtovoi, V. L | Sirotkin, V. V | Shapoval, S. Yu.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Optical and vibration properties of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311) AlAs surfaces V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. V. Preobrazhenskii [et.al.]

    by Volodin, Vladimir A | Efremov, M. D | Preobrazhenskii, Valery V.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Investigation of indium antimonide microcrystals irradiated with fast neutrons I. Bolshakova, R. Holyaka, C. Leroy, M. Kumada

    by Bolshakova, I | Holyaka, R | Leroy, C | Kumada, M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом О. Д. Бобылева, Г. А. Верозубова

    by Бобылева, О. Д | Верозубова, Галина Александровна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Multichannel magnetometer on the base of III-V semiconductor sensors I. Bolshakova, R. Holyaka, V. Erashok, M. Kumada

    by Bolshakova, I | Holyaka, R | Erashok, V | Kumada, M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Применение радиационных технологий в производстве диодов Ганна А. В. Градобоев

    by Градобоев, Александр Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    Получение и исследование свойств эпитаксиальных слоев GaN, выращенных мос-гидричным методом на подложках сапфира с использованием различных буферных слоев А. К. Афанасьев, А. А. Арендаренко, Б. А. Малюков [и др.]

    by Афанасьев, А. К | Арендаренко, А. А | Малюков, Б. А.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Использование InP в качестве источника фосфора при выращивании фосфорсодержащих соединений Aᶦᶦᶦ Bᵛ методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда Д. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.]

    by Гуляев, Дмитрий Владимирович | Гилинский, Александр Михайлович | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович | Журавлев, Константин Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии А. В. Васев, С. И. Чикичев

    by Васев, Андрей Васильевич | Чикичев, Сергей Ильич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Электронная структура поверхностей (001) и (110) арсенида галлия и алмаза С. Е. Кулькова, Д. В. Чудинов, Д. В. Ханин, А. В. Субашиев

    by Кулькова, Светлана Евгеньевна | Чудинов, Дмитрий Владимирович | Ханин, Даниил Владимирович | Субашиев, Арсен Ваганович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    Модуляционная фотоотражательная спектроскопия многослоевых структур на основе GaAs Р. В. Кузьменко

    by Кузьменко, Роман Валентинович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Определение плотности молекулярных потоков элементов III и IV группы по показаниям ионизационного вакуумметра в установках молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    24.
    Использование поверхности (311)B GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии сверхрешеток GaAs/AlAs Г. А. Любас, Н. Н. Леденцов Д. Литвинов [и др.]

    by Любас, Г. А | Леденцов, Николай Николаевич | Литвтнов, Д.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Application of D-T fast neutron source in neutron activation analysis M. E. Medhat

    by Medhat, M. E.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    26.
    Влияние облучения реакторными нейтронами на структуру монокристаллов InP Д. И. Меркурисов, В. Т. Бублик, М. И. Воронова [и др.]

    by Меркурисов, Денис Игоревич | Бублик, Владимир Тимофеевич | Воронова, Марина Игоревна | Колин, Николай Георгиевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Исследование электронных состояний в тройных квантовых ямах на основе GaAs/AlGaAs методом спектроскопии фотоотражения Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    28.
    Электрофизика GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе Э. А. Ильичев, В. И. Егоркин, А. В. Кулаков [и др.]

    by Ильичев, Эдуард Анатольевич | Егоркин, Владимир Ильич | Кулаков, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    29.
    Structure of the CdxZn1-xTe solid solution - the material for photoelectronics G. S. Yurjev, S. F. Marenrin, V. N. Gus'kov, A. M. Natarovsky

    by Yurjev, G. S | Marenrin, S. F | Gus'kov, V. N | Natarovsky, A. M.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    30.
    Изделия микромеханики на основе арсенида галлия В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев

    by Караваев, Геннадий Федорович | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    Исследование характеристик диодов Ганна с пространственно неоднородными параметрами электрических полей в диапазоне длин от 1 до 30 мкм В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    33.
    Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    34.
    Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев

    by Пешев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    35.
    Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Д. И. Войциховский [и др.]

    by Конакова, Р. В | Миленин, В. В | Войциховский. Д. И | Литвин, П. М | Камалов, А. Б.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Волноводный модулятор 8-мм диапазона длин волн на основе монолитной интегральной схемы В. Г. Божков, В. А. Геннеберг, И. В. Петров, А. В. Семенов

    by Божков, Владимир Григорьевич | Геннеберг, В. А | Петров, Игорь Владимирович физик | Семенов, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Ионно-лучева изоляция слоев GaAs n- и p- типа проводимости Ю. А. Данилов, J. P. Souza, H. I. Boudinov [и др.]

    by Данилов, Юрий Александрович | Souza, J. P | Boudinov, H. I | Пронин, А. В | Хохлов, Александр Федорович, 1945-2003.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2 И. Н. Лебедев

    by Лебедев, И. Н.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B В. А. Рогозин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач [и др.]

    by Рогозин, В. А | Васильевский, Иван Сергеевич | Деркач, А. В | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Галиев, Г. Б | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Гурин, Петр Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    41.
    Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова

    by Попова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    42.
    Proton (5 MeV) bombardment of InAs crystals V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov

    by Brudnyi, Valentin N | Kolin, Nikolay G | Potapov, Alexander I.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    43.
    Минизонные спектры и оптические переходы в сверхрешетках (AlAs)m(AlxGa1-xAs)n(110) Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, Р. М. Егунов

    by Караваев, Геннадий Федорович | Чернышов, Виктор Николаевич | Егунов, Руслан Михайлович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    Получение пленок GaAs на подложках из кремния и арсенида галлия в квазизамкнутом объеме Б. Л. Агапов, И. Н. Арсентьев, Н. Н. Безрядин [и др.]

    by Агапов, Борис Львович | Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    45.
    Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов Б. Г. Налбандов, С. С. Шмелев, Э. А. Ильичев [и др.]

    by Налбандов, Б. Г | Шмелев, Сергей Сергеевич | Ильичев, Эдуард Анатольевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Светоизлучающие диоды А. А. Вилисов

    by Вилисов, Анатолий Александрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Каменская, Ирина Валентиновна | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    48.
    Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    49.
    Фоновые спектры сверхрешеток (Ga1-xAlxAs)m (GaAs)n Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов

    by Прыкина, Елена Николаевна | Полыгалов, Юрий Иванович | Копытов, Анатолий Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    50.
    Вторичная структура кристаллов и эффект Ганна - новые подходы и перспективы Ю. И. Веснин

    by Веснин, Юрий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :