Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 57 results.

    1.
    Получение монокристаллов полупроводникового соединения ZnGeP2 для нелинейной оптики Г. А. Верозубова, А. И. Грибенюков, Е. П. Найден

    by Верозубова, Галина Александровна | Грибенюков, Александр Иванович | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур К. А. Лозовой, А. М. Турапин, А. В. Яцкий, А. П. Коханенко

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Яцкий, А. В | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Молодежная школа-конференция с международным участием "Лазеры и лазерные технологии ", посвященная 50-летию создания первого в мире лазера : труды школы-конференции, 22-27 ноября 2010 года, Россия, ТомскMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    GaAs детекторы ионизирующих излучений О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Электронные свойства структур на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Матричный GaAs-детектор 128x128 элементов для рентгенографии А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов и др.

    by Воробьев, А. П | Головня, С. Н | Горохов, С. А | Корецкая, Ольга Борисовна | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Исследование проникновения атомарного водорода в арсенид галлия во время гидрогенизации при низком давлении В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Д. И. Проскуровский, Н. А. Торхов

    by Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Торхов, Николай Анатольевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Преображенский, Валерий Владимирович | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Исследование процесса синтеза ZnGeP2 двухтемпературным методом О. Д. Бобылева, Г. А. Верозубова

    by Бобылева, О. Д | Верозубова, Галина Александровна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Электронная структура поверхностей (001) и (110) арсенида галлия и алмаза С. Е. Кулькова, Д. В. Чудинов, Д. В. Ханин, А. В. Субашиев

    by Кулькова, Светлана Евгеньевна | Чудинов, Дмитрий Владимирович | Ханин, Даниил Владимирович | Субашиев, Арсен Ваганович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Туннелирование электронов в структурах (GaAs)n/(AlAs)m(001) с тонкими слоями Г. Ф. Караваев, С. Н. Гриняев

    by Караваев, Геннадий Федорович | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. М. Турапин и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Лозовой, Кирилл Александрович.

    Source: XXII Международная научно-техническая конференция, школа молодых специалистов и выставка по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 22-25 мая 2012, Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Оптические и фотоэлектрические характеристики наногетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge А. М. Турапин

    by Турапин, Алексей Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Численное исследование процессов массопереноса в газовой фазе при двухтемпературном синтезе ZnGeP2 И. Н. Лебедев

    by Лебедев, И. Н.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Исследование спектра поглощения Si:Ge наногетероструктур К. А. Лозовой, А. М. Турапин, А. В. Яцкий, А. П. Коханенко

    by Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Яцкий, Алексей Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Физика : материалы XLIX международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 16-20 апреля 2011 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Минизонные спектры и оптические переходы в сверхрешетках (AlAs)m(AlxGa1-xAs)n(110) Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов, Р. М. Егунов

    by Караваев, Геннадий Федорович | Чернышов, Виктор Николаевич | Егунов, Руслан Михайлович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    Proton (5 MeV) bombardment of InAs crystals V. N. Brudnyi, N. G. Kolin, A. I. Potapov

    by Brudnyi, Valentin N | Kolin, Nikolay G | Potapov, Alexander I.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Светоизлучающие диоды А. А. Вилисов

    by Вилисов, Анатолий Александрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Каменская, Ирина Валентиновна | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Влияние параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs на акустическое рассеяние квазидвумерных электронов С. И. Борисенко

    by Борисенко, Сергей Иванович | Борисенко, Сергей Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    Исследование коэффициента поглощения рентгеновского излучения в GaAs Р. А. Климанов

    by Климанов, Р. А.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Исследование тройных полупроводников A2 B4 C5/2 В. Г. Воеводин, В. А. Чалдышев

    by Воеводин, Валерий Георгиевич | Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    24.
    Наноструктурные эффекты в поликристаллическом оксиде индия, легированном оловом, полученным золь-гель методом Т. Д. Малиновская, Е. П. Найден, А. И. Потекаев, В. И. Сачков

    by Малиновская, Татьяна Дмитриевна, 1951- | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 | Потекаев, Александр Иванович, 1951- | Сачков, Виктор Иванович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.]

    by Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Панин, Алексей Викторович | Субач, Сергей Владимирович | Хруль, М. В | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    26.
    Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.]

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Особенности формирования профиля распределения электрически активных радиационных дефектов при ионной имплантации эпитаксиальных пленок КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. Г. Коротаев, Д. В. Григорьев

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    28.
    Структурные, электрические и оптические свойства металлоксидных полупроводниковых материалов Ю. П. Егоров, Т. Д. Малиновская

    by Егоров, Юрий Петрович канд. физ.-мат. наук | Малиновская, Татьяна Дмитриевна, 1951-.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    29.
    Исследование электронных процессов в GaAs детекторах Г. И. Айзенштат, М. Биматов, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    30.
    Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.]

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Электрофизические свойства и чувствительность к всестороннему сжатию облученного электронами GaP В. Н. Брудный, В. А. Новиков

    by Брудный, Валентин Натанович | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    Время жизни носителей заряда в эпитаксиальных слоях КРТ МЛЭ с неоднородным распределением состава и уровня легирования А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, Н. В. Федорова

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Федорова, Н. В.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    33.
    Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (AlAs)n(GaAs)m Л. Н. Бычкова, С. Н. Гриняев, В. Г.Тютерев

    by Никитина, Лариса Николаевна | Гриняев, Сергей Николаевич | Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    34.
    Полупроводниковые сенсоры высоких, низких и быстропеременных давлений Е. В. Иванов, Т. И. Изаак, Н. П. Криворотов [и др.]

    by Иванов, Евгений Валерьевич | Изаак, Татьяна Ивановна | Криворотов, Николай Павлович | Ромась, Лариса Михайловна | Свинолупов, Юрий Григорьевич | Щеголь, Сергей Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    35.
    Линейки светодиодов для визуализации сигналов детекторов ионизирующих излучений С. М. Гущин, Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, А. П. Воробьев

    by Гущин, Сергей Михайлович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Толбанов, Олег Петрович | Воробьев, Александр Павлович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Электронные параметры CdGeSa2, облученного электронами (2 МэВ) и протонами (5МэВ) В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова, А. И. Потапов

    by Брудный, Валентин Натанович | Ведерникова, Татьяна Владимировна | Потапов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Зависимость свойств ионно-легированных слоев GaAs : Si от дозы имплантации после радиационного отжига М. В. Ардышев, В. М. Ардышев, В. Ф. Пичугин

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Пичугин, Владимир Федорович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Electric field distribution in chromium compensated GaAs A. Tyazhev, D. Budnitsky, O. P. Tolbanov

    by Tyazhev, Anton V | Budnitsky, D. L | Tolbanov, Oleg P.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    41.
    Удаление остаточного резиста с поверхности арсенида галлия в кислород- или водоросрдержащих средах Е. В. Анищенко, В. М. Диамант, В. А. Кагадей [и др.]

    by Анищенко, Екатерина Валентиновна | Диамант, В. М | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Оскомов, Константин Владимирович | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    42.
    Детекторный элемент с оптическим выводом информации на GaAs Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Воробьев, Александр Павлович | Гущин, Сергей Михайлович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    43.
    Расчет спектральных характеристик фотопроводимости эпитаксиальных варизонных пленок КРТ Н. В. Нестерович

    by Нестерович, Н. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    Локальные уровни собственных дефектов в GaP и ZnGeP2 В. Г. Воеводин, С. Н. Гриняев

    by Воеводин, Валерий Георгиевич | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    45.
    Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко, О. Г. Шмаков

    by Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Влияние фонового излучения на фотоэлектрические свойства эпитаксиальных пленок КРТ МЛЭ А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, М. Ф. Филатов, А. В. Григорук

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Филатов, Михаил Федорович | Григорук, А. В.

    Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 2 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    48.
    Сбор заряда в координатных детекторах рентгеновского излучения на основе полуизолирующего GaAs, компенсированного хрома Г. И. Айзенштат, М. В. Биматов, А. П. Воробьев, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Воробьев, Александр Павлович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    49.
    Улучшение характеристик мощных транзисторов интегральных схем на основе ионно-легированных структур арсенида галлия с использованием гидрогенизации в атомарном водороде А. В. Голиков, В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев [и др.]

    by Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Романенко, Святослав Валерьевич | Ромась, Лариса Михайловна | Широкова, Л. С.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    50.
    Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :