|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
|
|
5.
|
|
|
6.
|
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ Справочник Рос. акад. наук, Ин-т общ. и неорган. химии им. Н. С. Курнатова, Науч. совет по химии и технологии полупроводников и высоко чистых веществ; [Принимали участие З. С. Медведева, О. Н. Калашник, Я. А. Калашников и др. ; Редкол. : А. В. Новоселова, В. Б. Лазеров (отв. ред. ) и др. ] by Медведева, Зинаида Сергеевна | Калашник, О. Н | Калашников, Ярослав Алексеевич | Новоселова, Александра Васильевна, 1900-1986 [отв. ред.] | Лазарев, В. Б [отв. ред.]. Material type: Text; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
Publication details: М. Наука 1979Availability: No items available :
|
|
7.
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
|
10.
|
|
|
11.
|
|
|
12.
|
|
|
13.
|
|
|
14.
|
Chalcogene processing at forming rectifying contacts Ni-GaP n-type S. A. Beznosyuk, L. V. Fomina, A. V. Privalov, S. E. Lebedenko by Beznosyuk, S. A | Fomina, L. V | Privalov, A. V | Lebedenko, S. E. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
15.
|
|
|
16.
|
|
|
17.
|
|
|
18.
|
Компьютерное моделирование границ раздела полупроводник AIIIBV/собственный оксид с низкой плотностью интерфейсных состояний А. В. Бакулин, С. Е. Кулькова, М. С. Аксенов, Н. А. Валишева by Бакулин, Александр Викторович | Аксенов, Максим Сергеевич | Валишева, Наталья Александровна | Кулькова, Светлана Евгеньевна. Source: Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 19-23 сентября 2016 г., Томск, Россия : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
19.
|
|
|
20.
|
|
|
21.
|
UV photodetectors based on wide-gap AlGaN semiconductors A. V. Voytsekhovskii, S. N. Nesmelov by Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический университет Научные подразделения СФТИ. Source: Atomic and Molecular Pulsed Lasers : 12 International Conference, September 14-18, 2015, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
22.
|
Admittance characterization of pentacene metal-insulator-semiconductor capacitors with SiO2 and SiO2/Ga2O3 insulators in temperature range of 9-300 K A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, V. A. Novikov [et al.] by Nesmelov, Sergey N | Novikov, Vadim A | Dzyadukh, Stanislav M | Kopylova, Tatyana N | Ivonin, Ivan V | Degtyarenko, Konstantin M | Tereshchenko, Evgeny V | Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Thin solid filmsMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
23.
|
|
|
24.
|
|
|
25.
|
|
|
26.
|
|
|
27.
|
|
|
28.
|
Механизм адсорбции O2 на поверхность GaAs(001) с субмонослойными покрытиями Cs К. В. Торопецкий, Д. А. Петухов, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов by Торопецкий, Константин Викторович | Петухов, Д. А | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
29.
|
|
|
30.
|
|
|
31.
|
|
|
32.
|
|
|
33.
|
|
|
34.
|
|
|
35.
|
Структура решетки соединений типа A2/3B5/2 Т. П. Кириенко by Кириенко, Т. П. Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
36.
|
|
|
37.
|
Глубокие уровни комплексов вакансий в GaAs В. Н. Брудный, С. Н. Гриняев by Брудный, Валентин Натанович | Гриняев, Сергей Николаевич. Source: Физико-химические процессы в неорганических материалах (ФХП-9). Т. 1 : международная конференция : посвящается 50-летию Кемеровского государственного университета, 22-25 сентября 2004 года : докладыMaterial type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
38.
|
|
|
39.
|
|
|
40.
|
|
|
41.
|
|
|
42.
|
|
|
43.
|
|
|
44.
|
|
|
45.
|
|
|
46.
|
|
|
47.
|
|
|
48.
|
|
|
49.
|
|
|
50.
|
|