Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 7 results.

    1.
    Применение GaAs, легированного примесями переходных металлов, в электронике С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Радиационное модифицирование и легирование химическими примесями как процессы самокомпенсации в полупроводниках В. Н. Брудный, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Влияние облучения ионами водорода на электрофизические свойства металлургически и ядерно-легированного InSb В. Н. Брудный, И. В. Каменская, Н. Г. Колин

    by Брудный, Валентин Натанович | Каменская, Ирина Валентиновна | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Влияние легирования алюминием на оптические и электрофизические свойства селенида галлия В. Г. Воеводин, С. А. Березная, З. В. Коротченко [и др.]

    by Воеводин, Валерий Георгиевич | Березная, Светлана Александровна | Коротченко, Зоя Владимировна | Морозов, Александр Николаевич | Саркисов, Сергей Юрьевич | Фернелиус, Н.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :