|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
Механизм адсорбции O2 на поверхность GaAs(001) с субмонослойными покрытиями Cs К. В. Торопецкий, Д. А. Петухов, О. Е. Терещенко, А. С. Терехов by Торопецкий, Константин Викторович | Петухов, Д. А | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
4.
|
Динамика решетки BiTeI при высоких давлениях Ю. С. Поносов, Т. В. Кузнецова, О. Е. Терещенко и др. by Кузнецова, Татьяна Владимировна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Кох, Константин Александрович | Чулков, Евгений Владимирович | Поносов, Юрий Сергеевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики металлов. Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физикиMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
5.
|
|
|
6.
|
|
|
7.
|
Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.] by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|