E-catalog        

Библиогр.: 16 назв.

Разработка золь-гель методов получения тонких пленок оксидов с низкими температурами их образования способствует развитию производства фотоэлементов на основе оксида цинка, нанесенного не только на стекла, но и на прозрачные термостойкие полимерные материалы, для создания на их основе гибких солнечных элементов. Данная работа посвящена низкотемпературному получению пленок оксида цинка из пленкообразующего раствора (ПОР) на ос-нове салицилата цинка. Методом вискозиметрии и ИК-спектроскопии установ-лено, что в состав ПОР входит салицилат цинка ZnSal2, и раствор пригоден для получения пленок со стабильными свойствами уже через сутки со дня его приго-товления. Термическая деструкция ПОР протекает в три этапа и завершается при температуре 350°С образованием оксида цинка структуры вюрцита. Увеличение времени отжига пленок с 24 до 48 ч позволяет формировать более кристаллическую структуру оксида, что приводит к росту проводимости тонкопленочного материала как на кремниевой, так и на стеклянной подложке при сохранении коэффициента прозрачности в видимой области спектра (75–78%). Увеличение толщины пленок ZnO приводит к нарушению их сплошности (двух- и трехслойные пленки содержат дендрообразные макродефекты-трещины) и снижению сопротивления, а также к снижению их прозрачности (Т = 60%).