Радиационная стойкость двухслойных полых частиц SiO2/ZnO при облучении протонами А. Н. Дудин, В. Ю. Юрина, М. М. Михайлов [и др.]
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Radiation resistance of two-layer hollow SiO2/ZnO particles under proton iradiation [Parallel title]Subject(s): оксид цинка | диоксид кремния | полые частицы | двухслойные частицы | деградация | оптические свойства | радиационная стойкость | дефекты | протоны | облучениеGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 7. С. 117-125Abstract: Проведен анализ спектров диффузного отражения двухслойных полых частиц SiO2/ZnO и объемных микрочастиц ZnO в диапазоне длин волн от 200 до 2500 нм до и после их облучения протонами с энергией 100 кэВ. Также проведено моделирование воздействия протонов на ансамбль полых двухслойных частиц в среде GEANT4. Согласно результатам экспериментов и расчетов, радиационная стойкость полых частиц SiO2/ZnO выше, чем у объемных микрочастиц ZnO. Вероятными причинами увеличения радиационной стойкости полых частиц могут быть высокая удельная поверхность, которая служит стоком радиационных дефектов, а также наличие фаз SiO2, ZnSiO3 и Zn2SiO4, которые формируют центры поглощения в УФ-области спектра и снижают их концентрацию в видимой области спектра.
Библиогр.: 30 назв.
Ограниченный доступ
Проведен анализ спектров диффузного отражения двухслойных полых частиц SiO2/ZnO и объемных микрочастиц ZnO в диапазоне длин волн от 200 до 2500 нм до и после их облучения протонами с энергией 100 кэВ. Также проведено моделирование воздействия протонов на ансамбль полых двухслойных частиц в среде GEANT4. Согласно результатам экспериментов и расчетов, радиационная стойкость полых частиц SiO2/ZnO выше, чем у объемных микрочастиц ZnO. Вероятными причинами увеличения радиационной стойкости полых частиц могут быть высокая удельная поверхность, которая служит стоком радиационных дефектов, а также наличие фаз SiO2, ZnSiO3 и Zn2SiO4, которые формируют центры поглощения в УФ-области спектра и снижают их концентрацию в видимой области спектра.
There are no comments on this title.