Агрегирование диэлектрических наночастиц на X-срезе кристалла LiNbO3:Cu электрическими полями фоторефрактивных голограмм К. М. Мамбетова, С. М. Шандаров, А. И. Татьянников, С. В. Смирнов
Material type:
ArticleSubject(s): ниобат лития | фотогальванический эффект | оптические пинцетыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 4. С. 89-93Abstract: Описана технология поверхностного легирования пластины X-среза ниобата лития ионами меди методом высокотемпературной диффузии из металлической пленки. Представлены результаты экспериментов по агрегации диэлектрических наночастиц на поверхности полученного образца электрическими полями фоторефрактивных голографических решеток, формируемых за счет фотогальванического механизма лазерными пучками с длиной волны 532 нм.
Библиогр.: 11 назв.
Ограниченный доступ
Описана технология поверхностного легирования пластины X-среза ниобата лития ионами меди методом высокотемпературной диффузии из металлической пленки. Представлены результаты экспериментов по агрегации диэлектрических наночастиц на поверхности полученного образца электрическими полями фоторефрактивных голографических решеток, формируемых за счет фотогальванического механизма лазерными пучками с длиной волны 532 нм.
There are no comments on this title.