|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков by Бублик, Владимир Тимофеевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич | Жевнеров, Евгений Владимирович | Марков, Александр Владимирович физик. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
5.
|
|