Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 10 results.

    1.
    Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах В. Б. Цаплин

    by Цаплин, В. Б.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films D. V. Grigoryev, A. V. Voitsekhovskii, K. A. Lozovoy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Lozovoy, Kirill A | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Atomic and Molecular Pulsed Lasers : 12 International Conference, September 14-18, 2015, Tomsk, Russia : abstractsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин

    by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Influence of pulsed nanosecond volume discharge in atmospheric-pressure air on the electrical characteristics of MCT epitaxial films D. V. Grigoryev, A. V. Voytsekhovskiy, K. A. Lozovoy [et.al.]

    by Grigoryev, Denis V | Lozovoy, Kirill A | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Tarasenko, Viktor Fedotovich | Shulepov, Mikhail A | Dvoretsky, Sergei A | Voytsekhovskiy, Alexander V.

    Source: Proceedings of SPIEMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Изменение электрических свойств эпитаксиальных пленок КРТ после воздействия высокочастотного наносекундного объемного разряда в воздухе атмосферного давления П. А. Ермаченков

    by Ермаченков, Павел Андреевич.

    Source: Труды Пятнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-19 мая 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства Методические указания Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники

    by Войцеховский, Александр Васильевич [сост.] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск 1998Availability: No items available :
    8.
    Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович.

    Source: Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) : материалы XI международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVII международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана 2005, 8-10 сентября)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Нестехиометрический рост InGaAs из молекулярных пучков при пониженной температуре С. В. Субач

    by Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, М. А. Путято [и др.]

    by Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Торопов, Сергей Евгеньевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :