Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 25 results.

    1.
    Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe D. I. Gorn, A. V. Voitsekhovskii, S. M. Dzyadukh, S. N. Nesmelov

    by Gorn, Dmitriy Igorevich | Dzyadukh, Stanislav M | Nesmelov, Sergey N | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: International Journal of NanotechnologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Спектры фотолюминесценции структур HgCdTe с множественными квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Urbach tail and nonuniformity probe of HgCdTe thin films and quantum well heterostructures grown by molecular beam epitaxy V. V. Rumyantsev, A. A. Razova, M. A. Fadeev [et al.]

    by Rumyantsev, Vladimir V | Razova, Anna A | Fadeev, Mikhail A | Utochkin, Vladimir V | Mikhailov, Nikolay N | Dvoretsky, Sergei A | Gavrilenko, Vladimir I | Morozov, Sergey V.

    Source: Optical engineeringMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Electrophysical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures comprising CdHgTe-based quantum wells A. V. Voitsekhovskii, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Advanced Materials ResearchMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    TEM studies of structural defects in HgTe/HgCdTe quantum wells A. Yu. Bonchyk, H. V. Savytskyy, Z. Swiatek [et al.]

    by Bonchyk, A. Yu | Savytskyy, Hrygory V | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Y | Izhnin, Igor I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Mynbaev, Karim D | Fitsych, Olena I | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Свойства наноструктур с квантовыми ямами на основе CdHgTe для фотоники А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич.

    Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Properties of CdHgTe based nanostructures with quantum wells for photonics.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Лазерная генерация в структурах КРТ с квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Исследование адмиттанса МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe с квантовыми ямами С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Влияние различных методов отжига на инфракрасную фотолюминесценцию наногетероструктур GeSiSn/Ge/Si с множественными квантовыми ямами Д. В. Коляда, Д. Д. Фирсов, В. А. Тимофеев [и др.]

    by Коляда, Дмитрий Владимирович | Фирсов, Дмитрий Дмитриевич | Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Машанов, Владимир Иванович | Скворцов, Илья Владимирович | Есин, Михаил Юрьевич | Петрушков, Михаил Олегович | Комков, Олег Сергеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Influence of different annealing types on the infrared photoluminescence of GeSiSn/Ge/Si multiple quantum well nanostructures.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Формирование слоев квантовых ям и квантовых точек GeSi методом МЛЭ для ИК-фотоприемников А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, С. А. Тийс и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Тийс, Сергей Александрович | Гутаковский, Антон Константинович | Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Никифоров, Александр Иванович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др.

    by Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Фотолюминесценция в одиночной квантовой яме на основе КРТ Д. И. Горн

    by Горн, Дмитрий Игоревич.

    Source: Физика твердого тела и электроника : материалы 50-й юбилейной международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 13-19 апреля 2012 г.Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Electrical properties of n‑HgCdTe MIS structures with HgTe single quantum wells I. I. Izhnin, I. I. Syvorotka, A. V. Voytsekhovskiy [et al.]

    by Syvorotka, I. I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Nesmelov, Sergey N | Dzyadukh, Stanislav M | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Izhnin, Igor I.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Electro-physical characteristics of MIS structures with HgTe-based single quantum wells S. Dzyadukh, S. Nesmelov, A. Voytsekhovskiy, D. Gorn

    by Dzyadukh, Stanislav M | Voytsekhovskiy, Alexander V | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N.

    Source: Journal of Physics: Conference SeriesMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др.

    by Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Investigation of admittance for CdHgTe-based MIS-structures with single quantum wells under the wide temperature range (8-200) K A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, D. I. Gorn

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Gorn, Dmitriy Igorevich | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии : 25-я Международная Крымская конференция (КрыМиКо'2015), 6-12 сентября 2015 г., Севастополь, Крым, Россия : материалы конференции : в 2 т. Т. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Методика расчета спектров фотолюминесценции структур КРТ МЛЭ с потенциальными и квантовыми ямами А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Прикладная физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1–xCdхTe heterostructures A. V. Yatskiy, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voytsekhovskiy

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Yatskiy, Alexey V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Теоретическое описание особенностей вольт-фарадных характеристик МДП-структур с квантовыми ямами CdHgTe при температурах 8-300 К А. В. Войцеховский, Д. И. Горн

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    22.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры [Л. Эсаки, Б. А. Джойс, Р. Хекингботтом и др.] ; под ред. Л. Ченга, К. Плога ; пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева

    by Эсаки, Лео, 1925- | Джойс, Б. А | Хекингботтом, Р | Ченг, Л [edt] | Плог, К [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: Москва Мир 1989Other title: Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures.Availability: No items available :
    23.
    Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике [сборник статей] Ин-т СВЧ полупроводниковой электроники РАН

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Техносфера 2010Other title: Наногетероструктуры в СВЧПЭ.Availability: No items available :
    24.
    Юбилейный сборник избранных трудов Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1964-2014) Ин-т физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН ;[отв. ред.: А. В. Латышев, А. В. Двуреченский, А. Л. Асеев]

    by Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск) | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946- | Двуреченский, Анатолий Васильевич [edt].

    Material type: Text Text; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Параллель 2014Availability: No items available :
    25.