Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 36 results.

    1.
    Совершенствование технологии синтеза гетероструктур Si/Ge c квантовыми точками Ge методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. А. Пищагин, В. Ю. Серохвостов

    by Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич.

    Source: Материалы 53-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2015, 11-17 апреля 2015 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Эпитаксия GaAs на кремниевых подложках Ю. Б. Болховитянов, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков и др.

    by Болховитянов, Юрий Борисович | Дерябин, Александр Сергеевич | Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    МЛЭ гетероструктур на основе материалов A3B5 для мощных СВЧ-транзисторов К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров, А. И. Торопов

    by Журавлев, Константин Сергеевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой, Р. М. Х. Духан

    by Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Духан, Рахаф Мохаммедовна | Войцеховский, Александр Васильевич.

    Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Dependence of dark current of quantum dot infrared photodetectors on the dispersion of islands by sizes.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Synthesis of epitaxial films based on Ge-Si-Sn materials with Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, and GeSn/GeSiSn heterojunctions V. A. Timofeev, A. P. Kokhanenko, A. I. Nikiforov [et.al.]

    by Timofeev, V. A | Nikiforov, Alexander I | Mashanov, Vladimir I | Tuktamyshev, Artur R | Loshkarev, Ivan D | Kokhanenko, Andrey P | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Russian physics journalMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Синтез эпитаксиальных пленок на базе материалов Ge-Si-Sn с гетеропереходами Ge/GeSn, Ge/GeSiSn, GeSn/GeSiSn В. А. Тимофеев, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров и др.

    by Тимофеев, Вячеслав Алексеевич | Никифоров, Александр Иванович | Машанов, Владимир Иванович | Туктамышев, Артур Раисович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Коханенко, Андрей Павлович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Дирко, В. Ю. Серохвостов, А. А. Пищагин

    by Дирко, Владимир Владиславович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич | Пищагин, Антон Александрович.

    Source: Материалы 55-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2017, 17-20 апреля 2017 г. Квантовая физикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Влияние параметров синтеза гетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge на морфологию массива квантовых точек Ge А. А. Пищагин, В. Ю. Серохвостов

    by Пищагин, Антон Александрович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич.

    Source: ВНКСФ-21 : Двадцать первая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых ученых, Россия : материалы конференции : информационный бюллетеньMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voytsekhovskii

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Physical chemistry chemical physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    10.
    Проблемы получения бездефектных полупроводниковых гетероструктур методами МЛЭ О. П. Пчеляков

    by Пчеляков, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития О. П. Пчеляков, А. И. Торопов, А. Л. Асеев

    by Пчеляков, Олег Петрович | Торопов, Александр Иванович | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Особенности получения квантовых точек Ge на поверхности Si (100) А. М. Турапин

    by Турапин, Алексей Михайлович.

    Source: Физика : материалы XLIX международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 16-20 апреля 2011 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Nanostructures with Ge-Si quantum dots for infrared photodetectors I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii [et al.]

    by Fitsych, Olena I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Dirko, Vladimir V | Izhnin, Igor I.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Свойства гетероструктур с квантовыми точками Ge/Si для нанофотоники А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, А. И. Никифоров, К. А. Лазовой

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Интерэкспо ГЕО-Сибирь-2015 : XI Международные научный конгресс и выставка. СибОптика-2015 : Международная научная конференция : сборник материалов : [в 3 т.]Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Properties of heterostructures with quantum dots Ge/Si for nanophotonics.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    16.
    Начальные стадии роста и механизм образования переходных слоев при гетероэпитаксии InP на GaAs С. В. Субач

    by Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1–xCdхTe heterostructures A. V. Yatskiy, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voytsekhovskiy

    by Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Voytsekhovskiy, Alexander V | Yatskiy, Alexey V | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices K. A. Lozovoy, A. V. Voytsekhovskiy, A. P. Kokhanenko [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Satdarov, Vadim G | Pchelyakov, Oleg P | Nikiforov, Alexander I | Lozovoy, Kirill A | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Opto-electronics reviewMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Interaction between islands in kinetic models of epitaxial growth of quantum dots I. I. Izhnin, O. I. Fitsych, A. V. Voitsekhovskii [et al.]

    by Izhnin, Igor I | Fitsych, Olena I | Voytsekhovskiy, Alexander V | Kokhanenko, Andrey P | Lozovoy, Kirill A | Dirko, Vladimir V.

    Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин [и др.]

    by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Болховитянов, Юрий Борисович | Пчеляков, Олег Петрович | Феклин, Дмитрий Федорович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства Методические указания Сост. А. В. Войцеховский, С. А. Шульга; Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники

    by Войцеховский, Александр Васильевич [сост.] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск 1998Availability: No items available :
    24.
    Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП" Том. гос. ун-т, Сибир. физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова ; ред. Брудный В. Н. , Юрченко В. И.

    by "Арсенид галлия" " GaAs-99", конференция 7 1999 Томск | Брудный, Валентин Натанович [ред.] | Юрченко, Василий Иванович [ред.] | Томский государственный университет.

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 1999Availability: No items available :
    25.
    Полупроводниковые сверхрешетки и их свойства методические указания Томск. гос. ун-т , Каф. квантовой электроники и фотоники ; [сост.: Войцеховский А. В., Шульга С. А., Коротаев А. Г.]

    by Войцеховский, Александр Васильевич [com] | Шульга, Сергей Анатольевич [com] | Коротаев, Александр Григорьевич [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск [б. и.] 2001Availability: No items available :
    26.
    Сверхструктурные переходы при синтезе гетероэпитаксиальных пленок Ge/Si, GeSi/Si методом молекулярно-лучевой эпитаксии диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Дирко Владимир Владиславович ; науч. рук. Коханенко А. П. ; Томский гос. ун-т

    by Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2022Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    27.
    Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 науч. рук. Ивонин И. В. ; Сибирский физико-технический ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те

    by Субач, Сергей Владимирович | Ивонин, Иван Варфоломеевич [науч. рук.] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск б. и. 2001Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры [Л. Эсаки, Б. А. Джойс, Р. Хекингботтом и др.] ; под ред. Л. Ченга, К. Плога ; пер. с англ. под ред. Ж. И. Алферова, Ю. В. Шмарцева

    by Эсаки, Лео, 1925- | Джойс, Б. А | Хекингботтом, Р | Ченг, Л [edt] | Плог, К [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: Москва Мир 1989Other title: Molecular Beam Epitaxy and Heterostructures.Availability: No items available :
    29.
    Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике [сборник статей] Ин-т СВЧ полупроводниковой электроники РАН

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Техносфера 2010Other title: Наногетероструктуры в СВЧПЭ.Availability: No items available :
    30.
    Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Том. гос. ун-т 2002Availability: No items available :
    31.
    Атомная структура полупроводниковых систем [А. Л. Асеев, Ю. Д. Ваулин, С. И. Стенин и др.] ; отв. ред. А. Л. Асеев ; Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

    by Асеев, Александр Леонидович, 1946- | Ваулин, Юрий Дмитриевич | Стенин, Сергей Иванович, 1940-1990 | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова (Новосибирск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian, English Publication details: Новосибирск Изд-во Сиб. отд-ния РАН 2006Availability: No items available :
    32.
    Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона [В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др.] ; отв. ред. С. П. Синица ; Рос. акад. наук, Сиб. отд. , Ин-т физики полупроводников

    by Овсюк, Виктор Николаевич | Курышев, Георгий Леонидович | Сидоров, Юрий Георгиевич | Синица, С. П [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука 2001Availability: No items available :
    33.
    Введение в мезоскопическую физику Й. Имри; Пер. с англ. С. А. Булгадаева и др.

    by Имри, Йозеф.

    Material type: Text Text; Format: print ; Audience: Specialized; Language: Russian Original language: English Publication details: М. Физматлит 2002Availability: No items available :
    34.
    Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002 .1-4 октября 2002 г. материалы конференции Том. гос. ун-т

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск.

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 2002Availability: No items available :
    35.
    36.
    Нанотехнологии в электронике [Н. И. Боргардт, В. Н. Кукин, С. Н. Мазуренко и др.] ; под ред. Ю. А. Чаплыгина

    by Боргардт, Николай Иванович | Кукин, Владимир Николаевич | Мазуренко, Сергей Николаевич | Чаплыгин, Юрий Александрович [edt].

    Material type: Text Text; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Language: Russian Publication details: Москва Техносфера 2005Availability: No items available :