|
1.
|
|
|
2.
|
|
|
3.
|
Вентильный источник фосфора для молекулярно-лучевой эпитаксии на основе термического разложения InP: конструкция, характеристики, применение М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин и др. by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
4.
|
Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
5.
|
|
|
6.
|
Поверхностные процессы при молекулярно-лучевой эпитаксии нитрида галлия И. А. Бобровникова, И. В. Ивонин, В. А. Новиков [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Новиков, Вадим Александрович | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
7.
|
Получение твердых растворов GaPxAs1-x, InPxAs1-x, InyGa1-yPxAs1-x, на GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии В.В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Д. Ф. Феклин by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Феклин, Дмитрий Федорович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
|
10.
|
|
|
11.
|
|
|
12.
|
|
|
13.
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Болховитянов, Юрий Борисович | Пчеляков, Олег Петрович | Феклин, Дмитрий Федорович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
14.
|
Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Полтавец, И. Ю | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
15.
|
Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др. by Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
16.
|
Квантовые ямы InGaAs/GaAs, выращенные методом МЛЭ на искусственных подложках GaAs/Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, Д. С. Абрамкин и др. by Емельянов, Евгений Александрович | Абрамкин, Демид Суад | Пчеляков, Олег Петрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Василенко, Антон Павлович | Феклин, Дмитрий Федорович | Zhicuan, Niu | Коханенко, Андрей Павлович | Haiqiao, Ni | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
17.
|
Влияние температуры роста и отношения потоков As/Ga на электрофизические свойства слоев легированного кремнием, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, М. А. Путято [и др.] by Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
18.
|
Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
19.
|
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
20.
|
Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
21.
|
Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
22.
|
Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs Л. Л. Анисимова, В. А. Бурмистрова, И. В. Ивонин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Бурмистрова, В. А | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Новиков, Вадим Александрович | Шилова, Т. А | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
23.
|
Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Панин, Алексей Викторович | Субач, Сергей Владимирович | Хруль, М. В | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
24.
|
Влияние плотности потока молекул As2 и As4 на свойства слоев нелегированного и легированного кремнием GaAs, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах Б. Р. Семягин, М. А. Путято, В. В. Преображенский [и др.] by Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Торопов, Сергей Евгеньевич | Чалдышев, Владимир Викторович | Куницын, Александр Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
25.
|
Влияние механизма роста твердого раствора InGaAs при низкой температуре на процесс формирования нанокластеров в нем М. Д. Вилисова, А. К. Гутаковский, Л. Л. Девятьярова [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гутаковский, Антон Константинович | Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|