|
1.
|
|
|
2.
|
Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович. Source: Нано- и микросистемная техникаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Impact of the near-surface graded-gap layers on the admittance of mis structures based on mbe n(p)-Hg1 – xCdxTe (x = 0,21...0,23) within the temperature range of 9...77 K.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
3.
|
|
|
4.
|
Создание структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией в режиме Странского-Крастанова Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др. by Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: X Международная научно-техническая конференция "Вакуумная техника, материалы и технология" (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля)Material type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
5.
|
|
|
6.
|
Альтернативные технологии создания структур с квантовыми точками Ge/Si Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников, А. В. Войцеховский и др. by Кульчицкий, Николай Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук. Source: Вакуумная техника, материалы и технология : материалы X международной научно-технической конференции (Москва, КВЦ "Сокольники", 2015, 14-16 апреля)Material type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Alternative technologies to create structures with quantum dots of Ge/Si.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
7.
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.] by Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: The effect of optical radiation on the admittance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|