|
|
251.
|
|
|
|
252.
|
|
|
|
253.
|
|
|
|
254.
|
|
|
|
255.
|
|
|
|
256.
|
Молекулярно-лучевая эпитаксия фосфорсодержащих соединений с использованием потока фосфора, получаемого при термическом разложении InP В. В. Преображенский, М. А. Путято, Б. Р. Семягин [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Болховитянов, Юрий Борисович | Пчеляков, Олег Петрович | Феклин, Дмитрий Федорович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
257.
|
|
|
|
258.
|
Влияние условий молекулярно-лучевой эпитаксии на захват кремния в A - и B - подрешетки арсенида галлия И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин [и др.] by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
259.
|
|
|
|
260.
|
|
|
|
261.
|
|
|
|
262.
|
Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
 Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
263.
|
Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
264.
|
|
|
|
265.
|
|
|
|
266.
|
|
|
|
267.
|
|
|
|
268.
|
|
|
|
269.
|
Исследование характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса А. В. Войцеховский, С. М. Дзядух, Д. И. Горн [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич. Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Investigation of characteristics of mis structures based on MBE n-HgCdTe NBνN barrier structures by admittance spectroscopy.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
270.
|
|
|
|
271.
|
|
|
|
272.
|
|
|
|
273.
|
|
|
|
274.
|
Анизотропия проводимости в δ-слоях кремния на вицинальных поверхностях GaAs (111)A и (111)B В. А. Рогозин, И. С. Васильевский, А. В. Деркач [и др.] by Рогозин, В. А | Васильевский, Иван Сергеевич | Деркач, А. В | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Галиев, Г. Б | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Гурин, Петр Васильевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
275.
|
|
|
|
276.
|
Влияние структурных дефектов на распределение нестехиометрического мышьяка в НТ МЛЭ InGaAs И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, С. В. Субач [и др.] by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Субач, Сергей Владимирович | Гутаковский, Антон Константинович | Преображенский, Валерий Владимирович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
277.
|
|
|
|
278.
|
|
|
|
279.
|
Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.] by Чалдышев, Владимир Викторович | Путято, Михаил Альбертович | Семянгин, Б. Р | Преображенский, Валерий Владимирович | Пчеляков, Олег Петрович | Хан, А. В | Канаев, В. Г | Широкова, Л. С | Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Лиленко, Ю. В | Карпович, Нина Васильевна. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
280.
|
Single‑photon avalanche diode detectors based on group IV materials I. I. Izhnin, K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko [et al.] by Izhnin, Igor I | Lozovoy, Kirill A | Kokhanenko, Andrey P | Khomyakova, Kristina I | Douhan, Rahaf M. H | Dirko, Vladimir V | Voytsekhovskiy, Alexander V | Fitsych, Olena I | Akimenko, Nataliya Yu. Source: Applied nanoscienceMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
281.
|
|
|
|
282.
|
Электронная пушка источника атомарного водорода для обработки полупроводниковых структур в процессах молекулярно-лучевой эпитаксии В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев, Д. И. Проскуровский, Я. А. Чащин by Кагадей, Валерий Алексеевич | Нефедцев, Евгений Валерьевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич | Чащин, Я. А. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
283.
|
Formation of SnO and SnO2 phases during the annealing of SnO(x) films obtained by molecular beam epitaxy A. I. Nikiforov, V. F. Timofeev, V. I. Mashanov [et al.] by Timofeev, Vyacheslav F | Mashanov, Vladimir I | Azarov, Ivan A | Loshkarev, Ivan D | Volodin, Vladimir A | Gulyaev, Dmitry V | Chetyrin, Igor A | Korolkov, Ilya V | Nikiforov, Alexander I. Source: Applied surface scienceMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
284.
|
|
|
|
285.
|
|
|
|
286.
|
|
|
|
287.
|
|
|
|
288.
|
|
|
|
289.
|
Контроль полярности пленок GaN при росте методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на АL2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
290.
|
Влияние температуры роста, сорта молекул Asx(x=2, 4) и отношения потоков As/Ga на структуру ростовых поверхностей слоев LTG-GaAs Л. Л. Анисимова, В. А. Бурмистрова, И. В. Ивонин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Бурмистрова, В. А | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Новиков, Вадим Александрович | Шилова, Т. А | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
291.
|
Двумерные материалы на основе элементов групп VA и VIA: методы получения и перспективы использования К. А. Лозовой, В. В. Дирко, А. П. Коханенко [и др.] by Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Коханенко, Андрей Павлович | Кукенов, Олжас Игоревич | Соколов, Арсений Сергеевич | Акименко, Наталья Юрьевна | Хомякова, Кристина Игоревна | Диб, Хазем | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Two-dimensional materials of groups VA and VIA: methods of synthesis and perspectives of application.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
292.
|
Влияние примеси Si на захват избыточного мышьяка и свойства GaAs, выращенного методом МЛЭ при низких температурах М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева [и др.] by Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
293.
|
|
|
|
294.
|
|
|
|
295.
|
|
|
|
296.
|
Влияние начальных условий роста на полярность слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Al2O3(0001) В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, М. А. Путято [и др.] by Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович | Путято, Михаил Альбертович | Хамзин, Т. Х | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Торопов, Александр Иванович | Пчеляков, Олег Петрович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
297.
|
Исследование ростовых поверхностей вицинальных ᶲº(001) граней GaAs, выращенных МЛЭ при низкой температуре Л. Л. Девятьярова, И. В. Ивонин, А. В. Панин [и др.] by Анисимова, Любовь Леонидовна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Панин, Алексей Викторович | Субач, Сергей Владимирович | Хруль, М. В | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
298.
|
Энергетический спектр и электронный транспорт в короткопериодных сверхрешетках InAs/GaAs В. А. Рогозин, В. А. Кульбачинский, Р. А. Лунин [и др.] by Рогозин, В. А | Кульбачинский, Владимир Анатольевич | Лунин, Роман Анатольевич | Мокеров, Владимир Григорьевич, 1940-2008 | Федоров, Ю. В | Хабаров, Ю. В. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
299.
|
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе варизонного HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович. Source: Высокие технологии в промышленности России (материалы и устройства функциональной электроники и нанофотоники) : материалы XI международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2005, 8-10 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XVII международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана 2005, 8-10 сентября)Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
300.
|
|
