Normal view
MARC view
Изучение процесса выращивания и характеристик эпитаксиальных структур на основе AlxGa1-xSb диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Гермогенов В. П. ; науч. рук. А. А. Вилисов, А. П. Вяткин ; Сибирский физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Томском гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 1980Description: 245 л. илSubject(s): физика твердого тела | диссертации | полупроводниковые соединения | эпитаксия жидкофазная | p-n гетероструктуры | антимонид галлия | антимонид алюминия | растворы твердые | эпитаксиальные структуры | легирование раствора твердого тройного | энергетические спектры антимонида галлия | люминесцентные свойства антимонида галлия | перенос зарядов | p-n структуры | фотоприемники на антимониде галлияItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-432100 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000884989 |
Библиогр.: л. 218-237
There are no comments on this title.