Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"легирование"'

Search

Your search returned 8 results.

	1.	No cover image available Применение GaAs, легированного примесями переходных металлов, в электронике С. С. Хлудков by Хлудков, Станислав Степанович. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе С. С. Хлудков by Хлудков, Станислав Степанович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа С. С. Хлудков by Хлудков, Станислав Степанович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	4.	No cover image available Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов by Хлудков, Станислав Степанович \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Толбанов, Олег Петрович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	5.	No cover image available Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов by Хлудков, Станислав Степанович \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Толбанов, Олег Петрович. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	6.	No cover image available Диффузное легирование GaAs примесью хлора С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев by Хлудков, Станислав Степанович \| Корецкая, Ольга Борисовна \| Тяжев, Антон Владимирович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	7.	No cover image available Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др. by Прудаев, Илья Анатольевич \| Новиков, Вадим Александрович \| Будницкий, Давыд Львович \| Лопатецкая, Ксения Сергеевна \| Хлудков, Станислав Степанович \| Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники \| Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	8.	Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т by Толбанов, Олег Петрович \| Вилисова, Мария Дмитриевна \| Прудаев, Илья Анатольевич \| Хлудков, Станислав Степанович \| Томский государственный университет. Material type: Text; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)