Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 4 results.

    1.
    Электронные свойства структур на основе GaAs, компенсированного глубокими центрами О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Физические свойства нитрида индия, примеси и дефекты С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :