Laser-induced modification and formation of periodic surface structures of amorphous Ge2Sb2Te5 PCM materials S. A. Kozyukhin, P. I. Lazarenko, M. Smayev [et al.]
Material type:
ArticleOther title: Лазерная модификация и образование периодических поверхностных структур в аморфных материалах фазовой памяти Ge2Sb2Te5 [Parallel title]Subject(s): аморфные пленки | лазерное облучениеGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Полифункциональные химические материалы и технологии. [Т. 1] : материалы Международной научной конференции, 22-25 мая 2019 г Т. 1. С. 73-74Abstract: В работе представлены результаты по модификации аморфных пленок материалов фазовой памяти состава
Ge2Sb2Te5 (GST225) с использованием лазерных импульсов фемто-и наносекундной длительности. Показано,
что в режиме предабляционного облучения на поверхности аморфной пленки возможно образование
периодических структур типа рипплов, имеющих двухфазную (аморфную и кристаллическую) структуру.
Установлены характеристики данных структур и их зависимость от параметров лазерного облучения – числа
импульсов, поляризации светового луча, плотности энергии лазерного импульса; предложена теоретическая
модель для объяснения эффекта появления двухфазных структур в рипплах.
Библиогр.: 1 назв.
В работе представлены результаты по модификации аморфных пленок материалов фазовой памяти состава
Ge2Sb2Te5 (GST225) с использованием лазерных импульсов фемто-и наносекундной длительности. Показано,
что в режиме предабляционного облучения на поверхности аморфной пленки возможно образование
периодических структур типа рипплов, имеющих двухфазную (аморфную и кристаллическую) структуру.
Установлены характеристики данных структур и их зависимость от параметров лазерного облучения – числа
импульсов, поляризации светового луча, плотности энергии лазерного импульса; предложена теоретическая
модель для объяснения эффекта появления двухфазных структур в рипплах.
There are no comments on this title.