Normal view
MARC view
Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот В. И. Воеводин, С. Ю. Саркисов
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Subject(s): дифосфид цинка-германия | нелинейно-оптические кристаллы | экспериментальные исследования | диэлектрические параметрыGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online
In:
Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции С. 156-158Abstract: Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
No physical items for this record
Библиогр.: 16 назв.
Влияние постростовых технологических обработок на диэлектрические параметры кристаллов ZnGeP2 в терагерцовом диапазоне частот
There are no comments on this title.