Normal view
MARC view
Центры аннигиляции позитронов в дефектных полупроводниковых кристаллах диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Цой Альберт Алексеевич ; науч. рук. С. А. Воробьев ; Том. политехн. ин-т им. С. М. Кирова
Material type: TextPublication details: Томск [б. и.] 1983Description: 155 л. илSubject(s): физика твердого тела | диссертации | кристаллические решетки полупроводников | дефекты кристаллической решетки | полупроводниковые соединения, действие электронного облучения | аннигиляция позитронов, метод | радиационные дефекты полупроводников | кристаллы арсенида галлия | кристаллы кремния | акцепторные примеси полупроводниковItem type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
---|---|---|---|---|---|
Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-433516 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000833942 |
Библиогр.: л. 138-152
There are no comments on this title.