Комбинационное рассеяние света пленок CuIn0.95Ga0.05Se2, полученных методом селенизации Т. М. Гаджиев, Б. А. Билалов, М. А. Алиев [и др.]
Material type:
ArticleSubject(s): комбинационное рассеяние | тонкие пленки | солнечные элементы | селенизация | колебательные системыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 9. С. 123-126Abstract: Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы пленки CuIn0.95Ga0.05Se2 толщиной 0.6-1.5 мкм, полученные при температурах селенизации от 300 до 550 ºС. Выявлена оптимальная температурная область селенизации 500 °С ≤ Т sel ≤ 550 °С и необходимая толщина металлического слоя d > 1 мкм, для формирования качественной тонкой пленки CuIn0.95Ga0.05Se2. Показано, что пленки CuIn0.95Ga0.05Se2, полученные по предложенной нами технологии, приемлемы для использования в качестве активного фоточувствительного слоя высокоэффективных преобразователей солнечного излучения.
Библиогр.: 14 назв.
Ограниченный доступ
Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы пленки CuIn0.95Ga0.05Se2 толщиной 0.6-1.5 мкм, полученные при температурах селенизации от 300 до 550 ºС. Выявлена оптимальная температурная область селенизации 500 °С ≤ Т sel ≤ 550 °С и необходимая толщина металлического слоя d > 1 мкм, для формирования качественной тонкой пленки CuIn0.95Ga0.05Se2. Показано, что пленки CuIn0.95Ga0.05Se2, полученные по предложенной нами технологии, приемлемы для использования в качестве активного фоточувствительного слоя высокоэффективных преобразователей солнечного излучения.
There are no comments on this title.