Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне В. И. Воеводин, А. И. Грибенюков, К. В. Дорожкин
Material type:
ArticleSubject(s): терагерцовый диапазон | отжиг | коэффициент поглощения | дифосфид цинка-германия | оптические пробои | монокристаллыGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 62, № 12. С. 194-196Abstract: Развитая к настоящему времени технология выращивания и послеростовых обработок позволяет получать кристаллы ZnGeP2 высокого оптического качества в среднем ИК-диапазоне 2–8.5 мкм, что дает возможность реализовать широкополосную высокоэффективную параметрическую генерацию излучения при накачке мощными лазерами 2-мкм диапазона [1–3]. Имеющихся к настоящему времени данных об оптических потерях излучения ТГц-диапазона в кристаллах ZnGeP2 недостаточно для целенаправленного выбора условий получения кристаллов для эффективных преобразователей излучения среднего ИК-диапазона в ТГц-диапазон путем генерации излучения разностной частоты от излучения 2-мкм лазеров накачки. Цель настоящей работы – получение новых сведений о связи технологических условий с оптическими свойствами кристаллов ZnGeP2: коэффициентом поглощения в ТГц-области и порогом оптического пробоя в области длин волн лазера накачки.
Библиогр.: 8 назв.
Ограниченный доступ
Развитая к настоящему времени технология выращивания и послеростовых обработок позволяет получать кристаллы ZnGeP2 высокого оптического качества в среднем ИК-диапазоне 2–8.5 мкм, что дает возможность реализовать широкополосную высокоэффективную параметрическую генерацию излучения при накачке мощными лазерами 2-мкм диапазона [1–3]. Имеющихся к настоящему времени данных об оптических потерях излучения ТГц-диапазона в кристаллах ZnGeP2 недостаточно для целенаправленного выбора условий получения кристаллов для эффективных преобразователей излучения среднего ИК-диапазона в ТГц-диапазон путем генерации излучения разностной частоты от излучения 2-мкм лазеров накачки. Цель настоящей работы – получение новых сведений о связи технологических условий с оптическими свойствами кристаллов ZnGeP2: коэффициентом поглощения в ТГц-области и порогом оптического пробоя в области длин волн лазера накачки.
There are no comments on this title.