Normal view
MARC view
Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок Ч. 2 [сборник статей] Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников ; отв. ред. Л. Н. Александров
Material type:
TextPublication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1977Description: 357 с. ил., таблSubject(s): рост кристаллов полупроводников | полупроводниковые пленки | эпитаксиальные пленки, неоднородности | сверхструктуры, образование | кристаллизация тонких пленок | кристаллизация полупроводников | автоэпитаксиальные слои | кинетика роста кристаллов | кристаллы нитевидные | рост пленок в вакууме | эпитаксиальные слои, выращивание | эпитаксиальные пленки полупроводниковые | полупроводниковые пленки, легирование | эпитаксиальные пленки полупроводниковые, дефекты | эпитаксия жидкофазная, примеси | эпитаксия жидкофазная, дефекты | дислокации в кристаллах | дислокации в монокристаллах | монокристаллы полупроводникв | примеси в полупроводниках | рост кристаллов, методики | микронеоднородности полупроводников, исследования | эпитаксиальные пленки, зародышеобразование | полупроводниковые кристаллы, неоднородности | полупроводниковеы пленки, синтез | ионно-плазменное испарение, метод
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 месяц | Книгохранилище | 1-286483 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000981770 |
Библиогр. в конце ст.
There are no comments on this title.