Normal view
MARC view
Разработка и исследование методов измерения параметров структур, кристаллов и диодов Ганна, имеющих пространственно неоднородные характеристики с высоким отношением D/L поперечного размера D к продольному L В. И. Юрченко, С. Н. Полисадов, С. В. Литвин, Н. М. Юрченко
Material type:
ArticleSubject(s): физика полупроводников | полупроводники | полупроводниковые приборы | Ганна диоды | электронные устройства | низкочастотные токовые шумы | вольт-амперные характеристики | экспериментальные исследования | полупроводниковые материалы
In:
Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференции С. 335-337
No physical items for this record
Библиогр.: 17 назв.
There are no comments on this title.