Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 4 results.

    1.
    Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures N. A. Torkhov, A. V. Gradoboev, K. N. Orlova, A. S. Toropov

    by Torkhov, Nikolay A | Gradoboev, Alexandr V | Orlova, K. N | Toropov, A. S.

    Source: Semiconductor science and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, Д. И. Горн, И. И. Ижнин и др.

    by Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет НИИ прикладной математики и механики Научные подразделения НИИ ПММ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Accumulation of arsenic implantation‑induced donor defects in Hg0.7Cd0.3Te heteroepitaxial structures I. I. Izhnin, K. D. Mynbaev, A. V. Voitsekhovskii [et al.]

    by Izhnin, Igor I | Mynbaev, Karim D | Voytsekhovskiy, Alexander V | Korotaev, Alexander G | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Fitsych, Olena I | Świątek, Zbigniew | Jakiela, Rafal.

    Source: Journal of electronic materialsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техникиMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :