Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 118 results.

    1.
    Enginering As nano-clusters in GaAs V. V. Chaldyshev

    by Chaldyshev, Vladimir V.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Исследование микронеоднородностей в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук В. Д. Окунев ; науч. рук. В. А. Гаман ; Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Окунев, В. Д | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05 Будницкий Давыд Львович ; науч. рук. Кривов М. А. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Будницкий, Давыд Львович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1986Availability: No items available :
    4.
    5.
    Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия О. В. Литвинюк, В. Л. Костенко, Л. Б. Дмитриева

    by Литвинюк, О. В | Костенко, В. Л | Дмитриева, Л. Б.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Вода с дезактивированным кислородом для промывки поверхности полупроводников AIIIBV после химического травления Г. М. Мокроусов, О. Н. Зарубина, Р. О. Леоненко

    by Мокроусов, Геннадий Михайлович | Зарубина, Оксана Николаевна | Леоненко, Роман Олегович | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ | Томский государственный университет Химический факультет Публикации студентов и аспирантов ХФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    8.
    Эффект переключения в обратно смещенных ???-v-n-структурах на основе GaAs<Fe> В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    9.
    Эффект фотонного увлечения в арсениде галлия, легированном глубокими примесями В. В. Антонов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко

    by Антонов, В. В | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs Д. Л. Будницкий

    by Будницкий, Давыд Львович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1 С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов, И. В. Ивонин

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.]

    by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Vasilev, Vladimir V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    15.
    Адиабатические и неадиабатические процессы в гомоэпитаксии на поверхности (001) GaAs из пучков As4 и Ga Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    17.
    Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов и др.

    by Антонов, В. В | Войцеховский, Александр Васильевич | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Фукс, Г. М | Хлудков, Станислав Степанович | Малисова, Е. В | Мельченко, Э. Н | Никифорова, М. П | Попова, Е. А.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Влияние водорода на электрические характеристики контактов Pd-GaAs А. А. Димеев, М. О. Дученко

    by Димеев, А. А | Дученко, Мария Олеговна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.]

    by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев

    by Щеглов, Дмитрий Владимирович | Родякина, Екатерина Евгеньевна | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs (100): морфология, реконструкции и электронные свойства О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, Н. С. Рудая [и др.]

    by Терещенко, Олег Евгеньевич | Альперович, Виталий Львович | Рудая, Нина Сергеевна | Латышев, Александр Васильевич | Терехов, Александр Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    Зависимости между параметрами эллипсометрии и потенциального барьера твердых тел при удалении слоя естественного окисла с их поверхности Ю. И. Асалханов, А. И. Бадлуев

    by Асалханов, Юлий Иннокентьевич | Бадлуев, Алексей Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Преображенский, Валерий Владимирович | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    24.
    Электронная энергетическая структура кластеров мышьяка в GaAs А. А. Софронов

    by Софронов, А. А.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Исследование особенностей сбора заряда в GaAs π-ν-n структурах, компенсированных Cr Е. Н. Авдеева, Л. С. Окаевич

    by Авдеева, Е. Н | Окаевич, Людмила Стефановна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    26.
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Толбанов, Олег Петрович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов GaAs/lr/Ni в условиях химической пассивации границ полупроводника и электрохимического осаждения металлов Л. В. Фомина, С. В. Лебеденко, С. А. Безносюк

    by Фомина, Лариса Валерьевна | Лебеденко, С. В | Безносюк, Сергей Александрович, 1953-.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    29.
    Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников С.С. Хлудков, В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, Г.М. Фукс

    by Хлудков, Станислав Степанович | Войцеховский, Александр Васильевич | Антонов, В. В | Фукс, Г. М.

    Source: Материалы научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты Томской области в 9-й пятилетке". Секция физики твердого телаMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    30.
    Расчет характеристик амплитудного модулятора инфракрасного излучения на высокоомном арсениде галлия А. В. Войцеховский, М. А. Гласнов, А. С. Петров

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Гласнов, М. А.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Первопринципный расчет междолинных деформационных потенциалов рассеяния на коротковолновых фононах в GaAs Л. Н. Бычкова, С. Н. Гриняев, В. Г. Тютерев

    by Никитина, Лариса Николаевна | Гриняев, Сергей Николаевич | Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    33.
    Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    34.
    Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств арсенида галлия, легированного медью А.В. Войцеховский, Г.А. Захарова, Е.В. Малисова и др.

    by Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Войцеховский, Александр Васильевич | Захарова, Г. А | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Малисова, Е. В.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    35.
    Использование релятивистских электронных пучков для отжига GaAs, имплантированного кремнием М. В. Ардышев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Примесный состав адсорбционных слоев на поверхностях (100) и (111)A GaAs в системе МЛЭ И. Ю. Полтавец, И. А. Бобровникова, С. В. Субач

    by Полтавец, И. Ю | Бобровникова, Ирина Анатольевна | Субач, Сергей Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии А. В. Васев, С. И. Чикичев

    by Васев, Андрей Васильевич | Чикичев, Сергей Ильич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Электрофизика GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе Э. А. Ильичев, В. И. Егоркин, А. В. Кулаков [и др.]

    by Ильичев, Эдуард Анатольевич | Егоркин, Владимир Ильич | Кулаков, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Модели рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs В. Н. Чернышов, Г. Ф. Караваев

    by Чернышов, Виктор Николаевич | Караваев, Геннадий Федорович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    40.
    Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    41.
    Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в GaAs на спектры НЕСГУ Б. К. Кемалов

    by Кемалов, Б. К.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    42.
    Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    43.
    Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев

    by Пешев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    Упорядочение латеральной неоднородности в контакте TiBx-GaAs Р. В. Конакова, В. В. Миленин, Д. И. Войциховский [и др.]

    by Конакова, Р. В | Миленин, В. В | Войциховский. Д. И | Литвин, П. М | Камалов, А. Б.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    45.
    Особенности фотоотражения в тонких пленках n-GaAs Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, И. П. Казаков, А. В. Червяков

    by Авакянц, Лев Павлович | Боков, Павел Юрьевич | Казаков, Игорь Петрович | Червяков, Анатолий Васильевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    46.
    Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов Б. Г. Налбандов, С. С. Шмелев, Э. А. Ильичев [и др.]

    by Налбандов, Б. Г | Шмелев, Сергей Сергеевич | Ильичев, Эдуард Анатольевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Влияние реконструкции поверхности GaAs (001) на развитие микрорельефа при молекулярно-пучковой эпитаксии А. В. Попова

    by Попова, А. В.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    48.
    Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук М. Д. Вилисова ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    49.
    Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Потоцкий, В. С | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    50.
    Исследование сплавных электронно-дырочных переходов в арсениде галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук А. П. Васильев ; науч. рук. А. П. Вяткин ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Васильев, Анатолий Павлович | Вяткин, Анатолий Петрович [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1966Online access: Click here to access online Availability: No items available :