|
1.
|
Enginering As nano-clusters in GaAs V. V. Chaldyshev by Chaldyshev, Vladimir V. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
2.
|
|
|
3.
|
|
|
4.
|
|
|
5.
|
|
|
6.
|
|
|
7.
|
|
|
8.
|
|
|
9.
|
|
|
10.
|
Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
11.
|
Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs Д. Л. Будницкий by Будницкий, Давыд Львович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
12.
|
|
|
13.
|
Admittance of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy on GaAs substrates A. V. Voytsekhovskiy, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh [et.al.] by Voytsekhovskiy, Alexander V | Dzyadukh, Stanislav M | Vasilev, Vladimir V | Varavin, Vasilii S | Dvoretsky, Sergei A | Mikhailov, Nikolay N | Yakushev, Maxim V | Nesmelov, Sergey N | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Infrared physics and technologyMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
14.
|
|
|
15.
|
|
|
16.
|
|
|
17.
|
Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов и др. by Антонов, В. В | Войцеховский, Александр Васильевич | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Фукс, Г. М | Хлудков, Станислав Степанович | Малисова, Е. В | Мельченко, Э. Н | Никифорова, М. П | Попова, Е. А. Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
print
; Nature of contents: ; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
18.
|
|
|
19.
|
Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.] by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
20.
|
|
|
21.
|
|
|
22.
|
|
|
23.
|
|
|
24.
|
|
|
25.
|
|
|
26.
|
|
|
27.
|
|
|
28.
|
|
|
29.
|
|
|
30.
|
|
|
31.
|
|
|
32.
|
|
|
33.
|
Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
34.
|
Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств арсенида галлия, легированного медью А.В. Войцеховский, Г.А. Захарова, Е.В. Малисова и др. by Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Войцеховский, Александр Васильевич | Захарова, Г. А | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Малисова, Е. В. Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article; Format:
print
; Nature of contents: ; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
35.
|
|
|
36.
|
|
|
37.
|
|
|
38.
|
|
|
39.
|
Модели рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs В. Н. Чернышов, Г. Ф. Караваев by Чернышов, Виктор Николаевич | Караваев, Геннадий Федорович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
40.
|
|
|
41.
|
|
|
42.
|
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др. by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
43.
|
Образование радиационных дефектов в арсениде галлия В. В. Пешев by Пешев, Владимир Викторович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
44.
|
|
|
45.
|
|
|
46.
|
|
|
47.
|
|
|
48.
|
|
|
49.
|
Фотоэлектрические характеристики детекторных структур на основе GaAs, компенсированного Cr Г. И. Айзенштат, Д. Ю. Мокеев, Л. С. Окаевич [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Окаевич, Людмила Стефановна | Потоцкий, В. С | Толбанов, Олег Петрович. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
50.
|
|