Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 25 results.

    1.
    No cover image available
    Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре А. В. Бойцов, Н. А. Берт, В. В. Чалдышев и др.

    by Бойцов, А. В | Берт, Николай Алексеевич | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года тезисы докладов Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]

    by Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия 4 1978 Томск | Мельченко, Э. Н [edt].

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 1978Other title: Арсенид галлия.Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Восьмая Российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, Томск 1-4 октября 2002 программа

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Том. гос. ун-т 2002Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Светодиод из GaAs(Si) как квазисверхструктура туннельно связанных квантовых точек В. Г. Сидоров, Д. В. Сидоров, В. И. Соколов

    by Сидоров, Валерий Георгиевич | Сидоров, Д. В | Соколов, В. И.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    No cover image available
    Исследование распределения напряженности поля в структурах арсенида галлия, легированного хромом, в зависимости от степени легирования Л. А. Васильева

    by Васильева, Людмила Александровна.

    Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    7.
    No cover image available
    Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    8.
    No cover image available
    Диффузное легирование GaAs примесью хлора С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев

    by Хлудков, Станислав Степанович | Корецкая, Ольга Борисовна | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    9.
    No cover image available
    Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    10.
    No cover image available
    Ядерное легирование и радиационное модифицирование арсенида галлия Н. Г. Колин

    by Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    11.
    No cover image available
    Исследование кинетики роста и легирования эпитаксиального арсенида галлия в газотранспортной системе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Пороховниченко Лидия Петровна ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова, Том. гос. ун-т. им. В. В. Куйбышева

    by Пороховниченко, Лидия Петровна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Томский государственный университет | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1978Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    12.
    No cover image available
    Арсенид галлия, легированный примесями с глубокими энергетическими уровнями, структура и приборы на его основе С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    13.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    14.
    No cover image available
    Кинетика и механизм захвата примеси при газофазовой эпитаксии арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торопов Сергей Евгеньевич ; науч. рук. Лаврентьева Л. Г. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева

    by Торопов, Сергей Евгеньевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1988Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    15.
    No cover image available
    Газофазовая эпитаксия арсенида галлия Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, И. В. Ивонин

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    16.
    No cover image available
    Анизотропия легирования и электрофизические свойства автоэпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Ю. Г. Катаев ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Катаев, Юрий Георгиевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1972Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    17.
    Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов Александрова О. А.,Лебедев А. О.,Мараева Е. В.

    by Александрова О. А | Лебедев А. О | Мараева Е. В.

    Material type: Text Text; Format: electronic ; Audience: General; Language: Russian Publication details: Санкт-Петербург Лань 2023Online access: Click here to access online | Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    18.
    No cover image available
    Доклады юбилейной научно-технической конференции Радиофизического факультета Ч. 1 Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, СФТИ им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Вилисов А. И. ]

    by Томский государственный университет Радиофизический факультет Юбилейная научно-техническая конференция 1973 Томск | Вилисов, Анатолий Александрович [edt].

    Material type: Set Set Publication details: Томск Издательство Томского государственного университета 1973Other title: Секция физики полупроводников и диэлектриков.Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    19.
    No cover image available
    Воздействие радиации на интегральные микросхемы Ф. П. Коршунов, Ю. В. Богатырев, В. А. Вавилов ; Акад. наук БССР, Ин-т физики твердого тела и полупроводников

    by Коршунов, Федор Павлович | Богатырев, Юрий Владимирович | Вавилов, Владимир Алексеевич.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Минск Наука и техника 1986Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    20.
    No cover image available
    Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002 .1-4 октября 2002 г. материалы конференции Том. гос. ун-т

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 8 2002 Томск.

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 2002Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    21.
    No cover image available
    Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) материалы конференции Том. гос. ун-т,

    by "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", конференция 9 2006 Томск.

    Material type: Set Set; Format: electronic available online remote Publication details: Томск [Том. гос. ун-т] 2006Other title: Ninth conference "Gallium arsenide and III-V group related compounds". 3-5 October, 2006, Tomsk, Russia. "GaAs - 2006".Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    22.
    No cover image available
    Теоретическое исследование кинетики послойного роста кристаллов полупроводников из многокомпонентной газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.07 Эрвье Юрий Юрьевич ; науч. рук.: Лаврентьева Л. Г., Рузайкин М. П. ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Эрвье, Юрий Юрьевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 [ths] | Рузайкин, Михаил Петрович [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск).

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1989Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    23.
    No cover image available
    Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ Л. Г. Лаврентьева, И. В. Ивонин

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    24.
    No cover image available
    Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Верхолетов Максим Георгиевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2022Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    25.