Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 20 results.

    1.
    Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия А. Д. Зенкова

    by Зенкова, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом И. Д. Щербаков, А. Д. Лозинская

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    4.
    Сравнительный анализ характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе CdZnTe и GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. М. Пристай, О. П. Толбанов

    by Новиков, Владимир Александрович | Пристай, Ольга Михайловна | Толбанов, Олег Петрович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хан, А. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Моделирование процесса переноса носителей заряда в арсенид-галлиевом детекторе А. М. Губочкин

    by Губочкин, А. М.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Определение транспортных характеристик детекторов ионизирующих излучений на основе GaAs:Cr Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Исследование детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия Г. И. Айзенштат, Е. П. Другова, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Другова, Е. П | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Многоканальная микросхема на арсениде галлия для регистрации, усиления и первичной обработки сигналов Б. Г. Налбандов, С. С. Шмелев, Э. А. Ильичев [и др.]

    by Налбандов, Б. Г | Шмелев, Сергей Сергеевич | Ильичев, Эдуард Анатольевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Исследование электронных процессов в GaAs детекторах Г. И. Айзенштат, М. Биматов, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Айзенштат, Геннадий Исаакович | Биматов, Михаил Владимирович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Разработка и исследование детекторов ионизирующих излучений и модулей изображения в Х-лучах на основе структур из полуизолирующего GaAs, компенсированного Сг в процессе диффузии Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, А. В.Тяжев

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия О. П. Толбанов

    by Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения А. Н. Ерохин, Г. И. Айзенштат

    by Ерохин, А. Н | Айзенштат, Геннадий Исаакович.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    Детекторный элемент с оптическим выводом информации на GaAs Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Воробьев, Александр Павлович | Гущин, Сергей Михайлович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Эпитаксиальные структуры GaAs:Sn, Cr выращенные методом жидкофазной эпитаксии С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко, О. Г. Шмаков

    by Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Исследование детекторов ионизирующих излучений, изготовленных на основе эпитаксиального арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. Д. Вилисова, Е. П. Другова [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :