Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 264 results.

    1.
    Стимулированное углеродом увеличение концентрации дивакансий галлия в полуизолирующем нелегированном GaAs К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Роль нестехиометрии в установлении содержания остаточного углерода в арсениде галлия В. В. Резвицкий, Г. Н. Семенова, Л. Г. Шепель, А. Хрубан

    by Резвицкий, В. В | Семенова, Г. Н | Шепель, Л. Г | Хрубан, А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    3.
    Физические основы люминесцентной метрологии содержания мелких акцепторов и доноров в соединениях A3B5 К. Д. Глинчук, Н. М. Литовченко, А. В. Прохорович, О. Н. Стрильчук

    by Глинчук, Константин Давыдович | Литовченко, Н. М | Прохорович, А. В | Стрильчук, О. Н.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Частотная зависимость поверхностной проводимости полуизолирующего арсенида галлия Ю. В. Лисюк, А. А. Скрыльников

    by Лисюк, Ю. В | Скрыльников, Александр Аркадьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Монокристаллы арсенида галлия, выращенные методом VGF: особенности структуры и свойств А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Enginering As nano-clusters in GaAs V. V. Chaldyshev

    by Chaldyshev, Vladimir V.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Получение монокристаллов высокочистого полуизолирующего арсенида галлия методом Чохральского с жидкостной герметизацией расплава А. В. Марков

    by Марков, Александр Владимирович физик.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Вадим Александрович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Growth and characterization of bulk solution grown GaAs crystal A. V. Markov, A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov [et.al.]

    by Markov, A. V | Polyakov, A. Y | Smirnov, N. B.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Перспективные разработки ОАО "НИИПП" на базе арсенидогаллиевой технологии В. Г. Божков, Е. А. Монастырев, А. А. Пономарев, Э. Ф. Яук

    by Божков, Владимир Григорьевич | Монастырев, Е. А | Пономарев, А. А | Яук, Э. Ф.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Структурно-фазовые превращения поверхности GaAs(100) в процессе обработки в парах селена Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Ю. В. Смирнов и др.

    by Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Смирнов, Ю. В.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Шумовые и радиационные свойства датчиков магнитного поля на основе арсенида галлия Г. Ф. Карлова, А. В. Градобоев

    by Карлова, Гелия Федоровна | Градобоев, Александр Васильевич.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Исследование детекторных структур на основе полуизолирующего арсенида галлия Г. И. Айзенштат, О. Б. Корецкая, Л. С. Окаевич [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Корецкая, Ольга Борисовна | Окаевич, Людмила Стефановна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    14.
    Электрофизические и детекторные свойства арсенида галлия, выращенного из раствора-расплава Ю. П. Козлова, Е. П. Веретенкин, В. Н. Гаврин и др.

    by Козлова, Юлия Павловна | Веретенкин, Е. П | Гаврин, В. Н.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    Исследование структуры собственного окисла на поверхности GaAs FTIR-методом Е. Л. Еремина, В. П. Бабак, С. В. Смирнов

    by Еремина, Е. Л | Бабак, В. П | Смирнов, Серафим Всеволодович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Основные антиструктурные дефекты в GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    Sensor properties of metal-Ga oxide-GaAs structures V. Kalygina, V. Gaman, I. Prudaev, O. Tolbanov

    by Kalygina, Vera M | Prudaev, Ilya A | Tolbanov, Oleg P | Gaman, V. I.

    Source: International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015 (IWGO 2015), 3-6, November 2015, Kyoto University, Kyoto, JapanMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Синтез тонких оксидных слоев на поверхности GaAs термооксидированием в присутствии композиций Sb2O3+V2O5 В. Ф. Кострюков, И. Я. Миттова

    by Кострюков, Виктор Федорович | Миттова, Ирина Яковлевна.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Statistical regularities of the dislocation structure formation in GaAs crystals grown by the LEC method V. A. Antonov, N. V. Goncharova, G. F. Kamenskaya [et.al.]

    by Antonov, V. A | Goncharova, N. V | Kamenskaya, G. F.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев

    by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Определение концентрации свободных носителей заряда в эпитаксиальных слоях сверхчистого GaAs методом фотоотражения О. С. Комков, А. Н. Пихтин, Ю. В. Жиляев, Л. М. Федоров

    by Комков, О. С | Пихтин, Александр Николаевич | Жиляев, Юрий Васильевич | Федоров, Леонид Михайлович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    GaAs маска для нанолитографии В. Я. Принц, В. А. Селезнев, А. В. Принц

    by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович | Принц, Александр Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Арсенид галлия - как материал для микромеханики В. И. Юрченко

    by Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    24.
    Development of GaAs epitaxy-from bulk growth to ultra-tgin film growth for nano-structure devices Jun-ichi Nishizawa, Toru Kurabayashi

    by Nishizawa, Jun-ichi | Kurabayashi, Toru.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Особенности некоторых физических свойств GaAs при концентрации 10¹⁸ смˉ³. Возможное влияние АСД GaAs О. Л. Кухто, Н. Г. Колин

    by Кухто, О. Л | Колин, Николай Георгиевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    26.
    GaAs лавинный s-диод с управляющим электродом И. А. Прудаев, М. С. Скакунов, О. П. Толбанов

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Частотная зависимость выходного сигнала в детекторах из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, Т. В. Медведева, О. П. Толбанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Медведева, Т. В | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    28.
    Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами И. Д. Щербаков, А. Н. Зарубин, М. С. Скакунов [и др.]

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs Д. Л. Будницкий

    by Будницкий, Давыд Львович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    30.
    Газочуствительные свойства диэлектрических слоев на GaAs полученных термическим окислением в присутствии соединений - активаторов И. Я. Миттова, В. Ф. Кострюков, Е. К. Салиева

    by Миттова, Ирина Яковлевна | Кострюков, Виктор Федорович | Салиева, Е. К.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    31.
    Выращивание вискеров InAs и GaAs из паровой фазы И. А. Большакова, Е. Ю. Макидо, Я. Я. Кость [и др.]

    by Большакова, И. А | Макидо, Е. Ю | Кость, Я. Я | Микитенко, А. А | Батманов, А. С.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    32.
    Совершенство кристаллической структуры монокристаллов GaAs:Te при примесном упорядочении В. А. Богданова, Н. А. Давлеткильдеев, А. А. Коротченко [и др.]

    by Богданова, Вера Александровна | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Коротченко, А. А | Нукенов, М. М | Семиколенова, Надежда Александровна | Сидоров, Евгений Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    33.
    Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Investigation of resistivity uniformity of GaAs:Cr wafers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Механизм срыва обратной вольт-амперной характеристики р-???-п-структур на основе GaAs(Fe) В. И. Гаман, В. М. Диамант, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Диамант, В. М | Фукс, Г. М.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print Availability: No items available :
    35.
    Определение концентраций EL2 и EL2⁺ центров в ПИ GaAs по спектрам оптического поглощения и фотопроводимости Ю. П. Козлова, Т. Дж. Боулес, Е. М. Вербицкая [и др.]

    by Козлова, Юлия Павловна | Боулес, Т. Дж | Вербицкая, Елена Михайловна.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    36.
    Токоперенос в детекторах на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, В. А. Новиков и др.

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Лелеков, Михаил Александрович | Новиков, Владимир Александрович | Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    37.
    Замедление преципитации мышьяка в присутствии фосфора в арсениде галлия, выращенном методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре А. В. Бойцов, Н. А. Берт, В. В. Чалдышев и др.

    by Бойцов, А. В | Берт, Николай Алексеевич | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    38.
    Isotopically enriched 71GaAs crystal growth and properties A. V. Markov, L. Moreno-Garsia, B. N. Sharonov [et.al.]

    by Markov, A. V | Moreno-Garsia, L | Sharonov, B. N.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    39.
    Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    40.
    Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия О. В. Литвинюк, В. Л. Костенко, Л. Б. Дмитриева

    by Литвинюк, О. В | Костенко, В. Л | Дмитриева, Л. Б.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    41.
    Влияние времени термообработки на изменение свойств в объеме монокристаллов полуизолирующего арсенида галлия М. Б. Литвинова, С. В. Шутов, И. В. Борискин

    by Литвинова, Марина Борисовна | Шутов, Станислав Викторович | Борискин, И. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    42.
    Дозиметрические свойства монокристаллов GaAs Te В. И. Дубовик, Н. А. Давлеткильдеев, В. А. Богданова, Н. А. Семиколенова

    by Дубовик, Виктор Иванович | Давлеткильдеев, Надим Анварович | Богданова, Вера Александровна | Семиколенова, Надежда Александровна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    43.
    Формирование свободных сверхтонких пленок GaAs и их применение в микромеханике В. Я. Принц, В. А. Селезнев

    by Принц, Виктор Яковлевич | Селезнев, Владимир Александрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    44.
    Физические основы работы лавинного S-диода И. А. Прудаев, В. В. Копьев, В. Л. Олейник, Ю. С. Петрова

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    45.
    Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs<Cr> детекторов Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    46.
    Исследование дефектности сложных поликристаллических слоев арсенида галлия для фотопреобразователей А. В. Юрченко

    by Юрченко, Алексей Васильевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    47.
    Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    48.
    Conductivity in the heavy proton-irradiated GaAs V. N. Brudnyi, A. I. Potapov

    by Brudnyi, Valentin N | Potapov, Alexander I.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    49.
    Мощные диоды Ганна 8-мм диапазона: GaAs, InP В. С. Лукаш, В. И. Юрченко, О. М. Узденов

    by Лукаш, Виталий Сергеевич | Юрченко, Василий Иванович | Узденов, Олег Мухитдинович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    50.
    Исследование полевых зависимостей дрейфовой скорости и дрейфовой длины электронов в компенсированном арсениде галлия А. А. Симолин

    by Симолин, А. А.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :