Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 22 results.

    1.
    Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Моделирование распределения напряженности поля арсенид-галлиевых детекторов, компенсированных хромом А. В. Тяжев, Л. К. Шаймерденова

    by Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Simulation of distribution of field strenght of the chromium compensated gallium arsenide detectors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Импульсные характеристики арсенид галлиевых детекторов заряженных частиц А. И. Потапов, А. В. Тяжев

    by Потапов, Александр Иванович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Детекторы гамма-квантов на основе эпитаксиальных слоев GaAs:S,Cr М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, И. В. Пономарев, А. В. Тяжев

    by Гермогенов, Валерий Петрович | Пономарев, Иван Викторович | Тяжев, Антон Владимирович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    5.
    Диффузное легирование GaAs примесью хлора С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев

    by Хлудков, Станислав Степанович | Корецкая, Ольга Борисовна | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Электрические характеристики детекторных структур на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Л. С. Окаевич, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев

    by Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs Д. Л. Будницкий, А. В. Тяжев, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Тяжев, Антон Владимирович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Определение влияния времени жизни носителей заряда арсенида галлия на эффективность непрерывной и импульсной генерации и детектирования излучения терагерцового диапазона частот Д. А. Кобцев, А. В. Тяжев, И. И. Колесникова, Р. А. Редькин

    by Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна | Редькин, Руслан Александрович | Кобцев, Даниил Александрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Разработка и исследование детекторов ионизирующих излучений и модулей изображения в Х-лучах на основе структур из полуизолирующего GaAs, компенсированного Сг в процессе диффузии Г. И. Айзенштат, О. П. Толбанов, А. В.Тяжев

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев, А. Н. Зарубин, О. П. Толбанов

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: The influence of surface treatment methods on the current-voltage characteristics of gallium arsenide X-ray sensors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Исследование крупномасштабных неоднородностей в n-GaAs и их влияние на однородность и характеристики HR GaAs:Cr сенсоров ионизирующего излучения Л. К. Шаймерденова, В. А. Новиков, А. В. Тяжев [и др.]

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Новиков, Владимир Александрович | Тяжев, Антон Владимирович | Толбанов, Олег Петрович | Шемерянкина, Анастасия Владимировна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    13.
    Методы измерения подвижности носителей заряда в структурах на основе высокоомного арсенида галлия с глубокими центрами И. Д. Щербаков, А. Н. Зарубин, М. С. Скакунов [и др.]

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Зарубин, Андрей Николаевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Трофимов, Михаил Сергеевич | Тяжев, Антон Владимирович | Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Шемерянкина, Анастасия Владимировна.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Дипольные антенны на основе SI-GaAs:Cr для генерации и детектирования терагерцового излучения С. Ю. Саркисов, Ф. Д. Сафиуллин, М. С. Скакунов и др.

    by Сафиуллин, Фарит Дигангереевич | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Назаров, Максим Михайлович | Шкуринов, Александр Павлович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    15.
    Матричный GaAs-детектор 128x128 элементов для рентгенографии А. П. Воробьев, С. Н. Головня, С. А. Горохов и др.

    by Воробьев, А. П | Головня, С. Н | Горохов, С. А | Корецкая, Ольга Борисовна | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    17.
    Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    18.
    Измерение времени жизни носителей заряда в SI-GaAs:Cr и EL2-GaAs методом pump-probe-терагерцовой спектроскопии И. И. Колесникова, Д. А. Кобцев, Р. А. Редькин [и др.]

    by Кобцев, Даниил Александрович | Редькин, Руслан Александрович | Саркисов, Сергей Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Колесникова, Ирина Игоревна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    19.
    Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова и др.

    by Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    20.
    Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    21.
    Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Вишникина, Вера Валерьевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    22.
    Детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :