Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 11 results.

    1.
    Оптические и фотоэлектрические характеристики высокоомного GaAs Д. Л. Будницкий

    by Будницкий, Давыд Львович.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Исследования оптических и фотоэлектрических свойств арсенида галлия, облученного электронами диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.05 Будницкий Давыд Львович ; науч. рук. Кривов М. А. ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева

    by Будницкий, Давыд Львович | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [ths] | Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск) | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1986Availability: No items available :
    3.
    Поглощение ИК-излучения в высокоомном GaAs, сформированном диффузией хрома Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Вадим Александрович | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs Д. Л. Будницкий, А. В. Тяжев, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Тяжев, Антон Владимирович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Влияние термоакцепторов на электрофизические характеристики диффузионных, высокоомных слоев GaA:Cr Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    Оценка концентрации хрома в высокоомном GaAs:Cr, создаваемом диффузией Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, О. П. Толбанов, Т. М. Яскевич

    by Будницкий, Давыд Львович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    Электрические свойства GaAs, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, В. А. Новиков и др.

    by Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    8.
    Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr Д. Л. Будницкий, В. А. Новиков, И. А. Прудаев и др.

    by Новиков, Владимир Александрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна | Будницкий, Давыд Львович | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    9.
    Детекторный модуль для сканирующих систем рентгеновского контроля Д. Л. Будницкий, Д. Ю. Мокеев, В. А. Новиков и др.

    by Будницкий, Давыд Львович | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Лелеков, Михаил Александрович | Пономарев, Иван Викторович.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Фотоэлектрические характеристики структур из GaAs, легированного Fe и Cr, в УФ-области спектра Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.]

    by Будницкий, Давыд Львович | Гермогенов, Валерий Петрович | Ларионов, А. А | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Романова, А. Е | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :