|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
Получение предельно высокоомного GaAs диффузией хрома в форминг-газе М. В. Ардышев, И. А. Прудаев by Ардышев, Михаил Вячеславович | Прудаев, Илья Анатольевич. Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type:  Article; Format:
print
festschrift
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
3.
|
|
|
|
4.
|
Концентрационные профили Si, имплантированного в GaAs, после радиационного отжига В. М. Ардышев, М. В. Ардышев, С. С. Хлудков by Ардышев, Вячеслав Михайлович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Хлудов, С. С. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
Детекторы заряженных частиц на основе радиационно-модифицированного полуизолирующего арсениде галлия Г. И. Айзенштат, М. В. Ардышев, Н. Г. Колин [и др.] by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Колин, Николай Георгиевич | Меркурисов, Денис Игоревич | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович. Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
7.
|
|
