Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    201.
    Электронная энергетическая структура кластеров мышьяка в GaAs А. А. Софронов

    by Софронов, А. А.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    202.
    Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных p-i-n структур на основе компенсированного арсенида галия О. Г. Шмаков

    by Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    203.
    Адсорбция фтора и коадсобрция фтора и кислорода на In-обогащенной поверхности InSb(111) А. А. Фукс, А. В. Бакулин

    by Фукс, Артем Андреевич | Бакулин, Александр Викторович.

    Source: Перспективы развития фундаментальных наук. Т. 1 : сборник научных трудов XV Международной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых, 24-27 апреля 2018 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Fluorine adsorption as well as fluorine and oxygen coadsorption on In-rich InSb(111) surface.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    204.
    Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2 М. Г. Верхолетов, И. А. Прудаев

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич.

    Source: Физика и техника полупроводниковMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: The influence of barrier contacts on carrier transport in homogeneous gaas structures doped with deep Cr and EL2 centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    205.
    Туннельный ток в двухбарьерных гетероструктурах GaN/AlxGa1-x N(0001) и GaAs/AlxGa1-x As(001) А. Н. Разжувалов, С. Н. Гриняев

    by Разжувалов, Александр Николаевич | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    206.
    Self-consistent calculation of capacitance-voltage profiles of delta-doped GaAs structures. Theory and experiment V. L. Gurtovoi, V. V. Sirotkin, S. Yu. Shapoval [et.al.]

    by Gurtovoi, V. L | Sirotkin, V. V | Shapoval, S. Yu.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    207.
    Арсенид галлия Вып. 5 Сборник Редкол. : М. А. Кривов (отв. ред. ) и др. ; Томск. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ. -техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова

    by Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 [отв. ред.] | Совещание по исследованиям арсенида галлия 3 1974 Томск.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательство Томского университета 1974Availability: No items available :
    208.
    Глубокие уровни тетраэдрических кластеров из атомов мышьяка и галлия в арсенида галлия В. А. Чалдышев, С. Н. Гриняев

    by Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Гриняев, Сергей Николаевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    209.
    Образование фазовых и структурно-примесных неоднородностей при газофазовой эпитаксии соединений AɪɪɪBv И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    210.
    Физико-химические аспекты формирования нанослоевых структур контактов GaAs/lr/Ni в условиях химической пассивации границ полупроводника и электрохимического осаждения металлов Л. В. Фомина, С. В. Лебеденко, С. А. Безносюк

    by Фомина, Лариса Валерьевна | Лебеденко, С. В | Безносюк, Сергей Александрович, 1953-.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    211.
    Исследование характеристик арсенида галлия, компенсированного хромом, как материала для сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна.

    Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний НовгородMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    212.
    Исследование арсенида галлия с примесью марганца как материала для фоторезисторных приемников С.С. Хлудков, В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, Г.М. Фукс

    by Хлудков, Станислав Степанович | Войцеховский, Александр Васильевич | Антонов, В. В | Фукс, Г. М.

    Source: Материалы научно-практической конференции "Молодые ученые и специалисты Томской области в 9-й пятилетке". Секция физики твердого телаMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    213.
    Optical and vibration properties of GaAs quantum wires grown with partial filling of corrugated (311) AlAs surfaces V. A. Volodin, M. D. Efremov, V. V. Preobrazhenskii [et.al.]

    by Volodin, Vladimir A | Efremov, M. D | Preobrazhenskii, Valery V.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    214.
    Фотоэлектрические характеристики пленок GaxOy и структур на их основе И. М. Егорова, Ю. С. Петрова, С. Ю. Цупий

    by Егорова, Ирина Максимовна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XIV Российской научной студенческой конференции, 13–15 мая 2014 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    215.
    Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    216.
    Особенности легирования и комплексообразования при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Полтавец, И. Ю | Субач, Сергей Владимирович | Торопов, Сергей Евгеньевич | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    217.
    Туннелирование электронов в структурах GaAs/AlAs(001) с плавным потенциалом на гетерограницах С. Н. Гриняев, Г. Ф. Караваев

    by Гриняев, Сергей Николаевич | Караваев, Геннадий Федорович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    218.
    Зависимости между параметрами эллипсометрии и потенциального барьера твердых тел при удалении слоя естественного окисла с их поверхности Ю. И. Асалханов, А. И. Бадлуев

    by Асалханов, Юлий Иннокентьевич | Бадлуев, Алексей Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    219.
    Перераспределение точечных дефектов при диффузии цинка в арсенид галлия В. Д. Окунев, В. И. Гаман, Б. Г. Захаров и др.

    by Окунев, В. Д | Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Захаров, Б. Г | Хлудков, Станислав Степанович | Цимберова, И. С.

    Source: Арсенид галлия. Вып. 4Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    220.
    Особенности вольт-амперных характеристик диодных структур на основе арсенида галлия, компенсированного примесями с глубокими уровнями В. И. Гаман, Г. М. Фукс

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Фукс, Г. М.

    Source: Пятое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 21-23 сентября 1982 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    221.
    Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка и легирующих примесей на структуру и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна | Преображенский, Валерий Владимирович | Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    222.
    Влияние термоакцепторов на электрофизические характеристики диффузионных, высокоомных слоев GaA:Cr Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    223.
    Морфология поверхности и кристаллографические свойства пленок GaAs, выращенных методом МЛЭ на вицинальных подложках Si(001) Е. А. Емельянов, А. П. Коханенко, О. П. Пчеляков и др.

    by Коханенко, Андрей Павлович | Пчеляков, Олег Петрович | Лошкарев, Иван Дмитриевич | Селезнев, Владимир Александрович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович | Преображенский, Валерий Владимирович | Zhicuan, Niu | Haiqiao, Ni | Емельянов, Евгений Александрович | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    224.
    Расчет характеристик амплитудного модулятора инфракрасного излучения на высокоомном арсениде галлия А. В. Войцеховский, М. А. Гласнов, А. С. Петров

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Гласнов, М. А.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    225.
    Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 года тезисы докладов Том. гос. ун-т им. В. В. Куйбышева, Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова ; [отв. ред. Э. Н. Мельченко]

    by Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия 4 1978 Томск | Мельченко, Э. Н [edt].

    Material type: Set Set Publication details: Томск [б. и.] 1978Other title: Арсенид галлия.Availability: No items available :
    226.
    Первопринципный расчет междолинных деформационных потенциалов рассеяния на коротковолновых фононах в GaAs Л. Н. Бычкова, С. Н. Гриняев, В. Г. Тютерев

    by Никитина, Лариса Николаевна | Гриняев, Сергей Николаевич | Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Современные проблемы физики и высокие технологии : материалы Международной конференции, посвященной 125-летию ТГУ, 75-летию СФТИ и 50-летию РФФ ТГУ (29 сентября - 4 октября 2003 г.)Material type: Article Article; Format: print festschrift ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    227.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    228.
    Численный анализ резонансного значения продольного тока в сверхрешетке типа GaAs/AlxGa1-xAs со слабо взаимодействующими квантовыми ямами С. И. Борисенко

    by Борисенко, Сергей Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    229.
    Координатные детекторы рентгеновского излучения на арсениде галлия Г. И. Айзенштат, А. П. Воробьев, В. Г. Канаев [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Воробьев, Александр Павлович | Канаев, В. Г | Толбанов, Олег Петрович | Хан, А. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    230.
    Электрические и оптические свойства слоев InGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, Л. Г. Лаврентьева [и др.]

    by Бобровникова, Ирина Анатольевна | Вилисова, Мария Дмитриевна | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Преображенский, Валерий Владимирович | Путято, Михаил Альбертович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    231.
    Поликристаллические пленки арсенида галлия на инородных подложках Н. Н. Бакин, И. В. Ивонин, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Бакин, Николай Николаевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Пороховниченко, Лидия Петровна | Чубирко, Валентина Анатольевна | Шибанов, А. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    232.
    Фотоэлектрические характеристики структур из GaAs, легированного Fe и Cr, в УФ-области спектра Д. Л. Будницкий, А. И. Госсен, О. Б. Корецкая, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Госсен, А. И | Корецкая, Ольга Борисовна | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    233.
    Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.]

    by Будницкий, Давыд Львович | Гермогенов, Валерий Петрович | Ларионов, А. А | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Романова, А. Е | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    234.
    Рекомбинация экситонов, связанных на донорно-акцепторных парах, в δ-легированных GaAs/AlAs сверхрешетках второго ряда Д. В. Гуляев, А. М. Гилинский, А. И. Торопов [и др.]

    by Гуляев, Дмитрий Владимирович | Гилинский, Александр Михайлович | Торопов, Александр Иванович | Бакаров, Асхат Климович | Журавлев, Константин Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    235.
    Исследование конденсации аморфного мышьяка на атомарно-чистой поверхности GaAs (100) (4x2)/(8x2) методом in situ эллипсометрии А. В. Васев, С. И. Чикичев

    by Васев, Андрей Васильевич | Чикичев, Сергей Ильич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    236.
    Исследование электрических характеристик GaAs–Ga2O3-структур А. Н. Зарубин, В. М. Калыгина, Ю. С. Петрова и др.

    by Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Цупий, Светлана Юрьевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Зарубин, Андрей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    237.
    Детекторы рентгеновского и γ-излучений на основе эпитаксиальных структур из арсенида галлия Г. И. Айзенштат, В. П. Гермогенов, С. М. Гущин [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гермогенов, Валерий Петрович | Гущин, Сергей Михайлович | Толбанов, Олег Петрович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    238.
    Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев, М. С. Салтымаков и др.

    by Ли Цзень Фень | Салтымаков, Максим Сергеевич | Гусельников, Виктор Иванович | Макеев, Вячеслав Анатольевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Найден, Евгений Петрович, 1940-2015 | Юрченко, Василий Иванович | Ремнев, Геннадий Ефимович | Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра радиоэлектроники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    239.
    Влияние водорода на вольт-амперные характеристики структур Pd/n-In0.53Ga0.47As Л. С. Хлудкова, В. П. Воронков

    by Хлудкова, Людмила Станиславовна | Воронков, Виктор Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    240.
    Исследование особенностей сбора заряда в GaAs π-ν-n структурах, компенсированных Cr Е. Н. Авдеева, Л. С. Окаевич

    by Авдеева, Е. Н | Окаевич, Людмила Стефановна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    241.
    Реконструкционный фазовый переход (2х4)α → (2х4)β на поверхности (001) GaAs, индуцированный адсорбцией тетрамера мышьяка Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров, С. М. Мощенко, А. И. Торопов

    by Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    242.
    Низкотемпературная молекулярно-лучевая эпитаксия арсенида галлия и твердых растворов на его основе: структура и свойства слоев Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова

    by Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Вилисова, Мария Дмитриевна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    243.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    244.
    Исследование распределения потенциала в структурах на основе GaAs с глубокими центрами И. А. Ветров, Л. С. Окаевич

    by Ветров, И. А | Окаевич, Людмила Стефановна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов VI Российской научной студенческой конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    245.
    Морфология поверхности эпитаксиальных слоев арсенида галия, выращенных на вициналях φ0(111)А и φ0(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии Л. Л. Девятьярова

    by Анисимова, Любовь Леонидовна.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    246.
    Влияние морфологии гетерограниц на транспорт двумерных электронов в GaAs квантовых ямах с AlAs/GaAs сверхрешеточными барьерами А. К. Бакаров, А. А. Быков, А. В. Горан [и др.]

    by Бакаров, Асхат Климович | Быков, Алексей Александрович | Горан, Андрей Васильевич | Деребезов, Илья Александрович | Попова, А. В | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    247.
    Модуляционная фотоотражательная спектроскопия многослоевых структур на основе GaAs Р. В. Кузьменко

    by Кузьменко, Роман Валентинович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    248.
    Гибридно-интегральные генераторы на GaAs диодах для автодинных систем КВЧ диапазона длин волн С. Д. Воторопин

    by Воторопин, Сергей Дмитриевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    249.
    Исследование фотоэлектрических и электрофизических свойств арсенида галлия, легированного медью А.В. Войцеховский, Г.А. Захарова, Е.В. Малисова и др.

    by Петров, Алексей Сергеевич, 1938-1996 | Войцеховский, Александр Васильевич | Захарова, Г. А | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Малисова, Е. В.

    Source: Материалы XVIII научно-технической конференции по радиоэлектронике, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / Томский университетMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    250.
    Электронная структура поверхностей (001) и (110) арсенида галлия и алмаза С. Е. Кулькова, Д. В. Чудинов, Д. В. Ханин, А. В. Субашиев

    by Кулькова, Светлана Евгеньевна | Чудинов, Дмитрий Владимирович | Ханин, Даниил Владимирович | Субашиев, Арсен Ваганович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :