Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 405 results.

    151.
    152.
    Исследование возможности создания мощного излучающего диода ИК-диапазона на основе одинарной гетероструктуры GaAs-AlGaAs С. М. Гущин, Г. Ф. Карлова, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Гущин, Сергей Михайлович | Карлова, Гелия Федоровна | Пороховниченко, Лидия Петровна | Умбрас, Л. П.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    153.
    Исследование выхода атомарного водорода из газоразрядного источника, предназначенного для очистки и гидрогенизации структур арсенида галлия В. А. Кагадей, Д. И. Проскуровский

    by Кагадей, Валерий Алексеевич | Проскуровский, Дмитрий Ильич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    154.
    Изучение электронного спектра GaAsс дефектами замещения полуэмпирическим методом сильной связи А. В. Чалдышев, А. В. Помогаев

    by Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Помогаева, А. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    155.
    A planar MESFET with double be implantation for CDMA application E. Y. Chang, K. B. Wang, C. C. Meng [et.al.]

    by Chang, E. Y | Wang, K. B | Meng, C. C.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    156.
    Влияние пассивности GaAs на морфологию поверхности диэлектрических слоев А. В. Юрченко, А. Р. Шугуров

    by Панин, Алексей Викторович | Шугуров, Артур Рубинович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    157.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом И. Д. Щербаков, А. Д. Лозинская

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники.

    Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-ПетербургMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    158.
    Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом С. С. Хлудков, И. А. Прудаев, О. П. Толбанов

    by Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    159.
    Анодные пленки Ga2О3 в МДП-структурах на основе арсенида галлия В. М. Калыгина, В. В. Вишникина, А. Н. Зарубин и др.

    by Вишникина, Вера Валерьевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники | Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    160.
    Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs В. В. Чалдышев

    by Чалдышев, Владимир Викторович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    161.
    Концентрационные профили Si, имплантированного в GaAs, после радиационного отжига В. М. Ардышев, М. В. Ардышев, С. С. Хлудков

    by Ардышев, Вячеслав Михайлович | Ардышев, Михаил Вячеславович | Хлудов, С. С.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    162.
    Двухчастотный автодинный радиолокатор на GaAs диодах Ганна в гибридно-интегральном исполнении С. Д. Воторопин

    by Воторопин, Сергей Дмитриевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    163.
    Естественное старение генераторных диодов Ганна Л. Г. Шаповал

    by Шаповал, Леонид Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    164.
    Исследование свойств арсенида галлия с примесью марганца В.В. Антонов, А.В. Войцеховский, М.А. Кривов и др.

    by Антонов, В. В | Войцеховский, Александр Васильевич | Кривов, Михаил Алексеевич, 1916-2009 | Фукс, Г. М | Хлудков, Станислав Степанович | Малисова, Е. В | Мельченко, Э. Н | Никифорова, М. П | Попова, Е. А.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    165.
    Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения Л. К. Шаймерденова, А. В. Тяжев, А. Н. Зарубин, О. П. Толбанов

    by Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: The influence of surface treatment methods on the current-voltage characteristics of gallium arsenide X-ray sensors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    166.
    Неразрушающий метод контроля полуизолирующего арсенида галлия для детекторов ионизирующего излучения А. Н. Ерохин, Г. И. Айзенштат

    by Ерохин, А. Н | Айзенштат, Геннадий Исаакович.

    Source: Современные проблемы физики, технологии и инновационного развития : сборник статей молодых ученыхMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    167.
    Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Яскевич Тамара Михайловна ; науч. рук. Калыгина В. М. ; Том. гос. ун-т

    by Яскевич, Тамара Михайловна | Калыгина, Вера Михайловна [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2013Availability: No items available :
    168.
    Измерение удельного сопротивления высокоомных эпитаксиальных слоев арсенида галлия И. В. Пономарев, О. Г. Шмаков

    by Пономарев, Иван Викторович | Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    169.
    Аномальная интенсивностная зависимость времени возгорания и затухания экситонной фотолюминесценции в высокочастотных слоях GaAs и прямозонных твердых растворов AlGaAs Т. С. Шамирзаев, К. С. Журавлев, А. И. Торопов [и др.]

    by Шамирзаев, Тимур Сезгирович | Журавлев, Константин Сергеевич | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    170.
    Монолитные и квазимонолитные модули и устройства мм-диапазона на основе арсенид галлиевых МИС В. Г. Божков, В. А. Геннеберг, К. И. Куркан, В. И. Перфильев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Геннеберг, В. А | Куркан, К. И | Перфильев, Виктор Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    171.
    Электронные состояния поверхности полупроводников A3B5 с адсорбированными слоями цезия В. П. Альперович, В. С. Воронин, А. Г. Паулиш [и др.]

    by Альперович, Виталий Львович | Воронин, В. С | Паулиш, Андрей Георгиевич | Рудая, Нина Сергеевна | Терещенко, Олег Евгеньевич | Терехов, Александр Сергеевич | Шайблер, Генрих Эрнстович | Энтин, Василий Матвеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    172.
    Модель зародышеобразования в гомоэпитаксии арсенида галлия из пучков As4 и Ga на As - стабилизированной поверхности (001)GaAs Д. В. Дмитриев, Ю. Г. Галицын, В. Г. Мансуров [и др.]

    by Дмитриев, Дмитрий Владимирович физик | Галицын, Юрий Георгиевич | Мансуров, Владимир Геннадьевич | Мощенко, Сергей Павлович | Торопов, Александр Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    173.
    Наноразмерная модификация поверхности GaAs зондом атомно-силового микроскопа Д. В. Щеглов, Е. Е. Родякина, А. В. Латышев, А. Л. Асеев

    by Щеглов, Дмитрий Владимирович | Родякина, Екатерина Евгеньевна | Латышев, Александр Васильевич | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    174.
    Химически приготовленная атомно-гладкая поверхность GaAs (100): морфология, реконструкции и электронные свойства О. Е. Терещенко, В. Л. Альперович, Н. С. Рудая [и др.]

    by Терещенко, Олег Евгеньевич | Альперович, Виталий Львович | Рудая, Нина Сергеевна | Латышев, Александр Васильевич | Терехов, Александр Сергеевич.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    175.
    Детекторы ядерных излучений на основе эпитаксиальных слоев AlGaAs Г. И. Айзенштат, С. М. Гущин, Л. П. Пороховниченко [и др.]

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Гущин, Сергей Михайлович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Толбанов, Олег Петрович | Хан, А. В.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    176.
    Фазовая диаграмма поверхности GaAs(311)A при молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин

    by Путято, Михаил Альбертович | Преображенский, Валерий Владимирович | Семягин, Борис Рэмович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    177.
    Влияние проводимости базы на ВАХ диодных структур, сформированных диффузией Fe или Cr B GaAs Д. Л. Будницкий, А. В. Тяжев, С. С. Хлудков

    by Будницкий, Давыд Львович | Тяжев, Антон Владимирович | Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    178.
    Моделирование процесса переноса носителей заряда в арсенид-галлиевом детекторе А. М. Губочкин

    by Губочкин, А. М.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов X Российской научной студенческой конференции, 4-6 мая 2006 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    179.
    Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на процессы их генерации и отжига в соединениях GaAs и InP В. В. Пешев, А. П. Суржиков

    by Пешев, Владимир Викторович | Суржиков, Анатолий Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    180.
    Диффузионные структуры и приборы на основе GaAs, легированного примесями переходных элементов группы железа С. С. Хлудков

    by Хлудков, Станислав Степанович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    181.
    Газовые сенсоры на основе структуры Pd-GaAs В. И. Гаман, М. О. Дученко, В. М. Калыгина

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021 | Дученко, Мария Олеговна | Калыгина, Вера Михайловна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    182.
    XL-смешивание при туннелировании электронов в структурах AlAs/GaAs (111) Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов

    by Караваев, Геннадий Федорович | Чернышов, Виктор Николаевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    183.
    Латеральная эпитаксия арсенида галлия в системах ГФЭ И. В. Ивонин, Л. Г. Лаврентьева, Л. П. Пороховниченко

    by Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна, 1931-2008 | Пороховниченко, Лидия Петровна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    184.
    Термодинамический аспект разрушения пластин арсенида галлия при импульсном отжиге С. В. Смирнов

    by Смирнов, Серафим Всеволодович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    185.
    Фотопроводящие дипольные антенны терагерцового диапазона на основе высокоомных арсенид галлиевых структур Д. А. Кобцев

    by Кобцев, Даниил Александрович.

    Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференцииMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    186.
    Физические основы метрологии полупроводниковых фотоматериалов и тестирование сложных соединений на основе арсенида галлия А. В. Юрченко, В. И. Юрченко

    by Юрченко, Алексей Васильевич | Юрченко, Василий Иванович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    187.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    188.
    Физика и технология гетероструктур A3B5: современное состояние и тенденции развития О. П. Пчеляков, А. И. Торопов, А. Л. Асеев

    by Пчеляков, Олег Петрович | Торопов, Александр Иванович | Асеев, Александр Леонидович, 1946-.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    189.
    Модификации амплитудных спектров в детекторных структурах из арсенида галлия М. А. Лелеков, Д. Г. Прокопьев, А. Н. Дучко

    by Лелеков, Михаил Александрович | Прокопьев, Дмитрий Геннадьевич | Дучко, Андрей Николаевич.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    190.
    Влияние водорода на электрические характеристики контактов Pd-GaAs А. А. Димеев, М. О. Дученко

    by Димеев, А. А | Дученко, Мария Олеговна.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    191.
    Molecular dynamics simulation of Ga and As emission from GaAs surface N. T. Sulaymanov, F. T. Umarova, Z. M. Khakimov

    by Sulaymanov, N. T | Umarova, F. T | Khakimov, Z. M.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    192.
    Влияние электрон-фононного взаимодействия на фотоэмиссионные характеристики арсенида галлия В.А. Чалдышев, С.Н. Гриняев, В.П. Киселев, В.В. Конев

    by Конев, Виктор Васильевич | Чалдышев, Виктор Александрович, 1929-2008 | Гриняев, Сергей Николаевич | Киселев, Владимир Петрович физик.

    Source: Четвертое Всесоюзное совещание по исследованию арсенида галлия, 19-21 сентября 1978 г. : тезисы докладовMaterial type: Article Article; Format: print ; Nature of contents: biography; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    193.
    Моделирование мезоструктуры нанокристаллов GaAs С. Д. Воторопин, М. А. Сергеев, Б. С. Семухин, А. П. Клишин

    by Воторопин, Сергей Дмитриевич | Сергеев, М. А. физик | Семухин, Борис Семенович | Клишин, Андрей Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    194.
    Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации И. Д. Щербаков

    by Щербаков, Иван Дмитриевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ.

    Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    195.
    Диффузное легирование GaAs примесью хлора С. С. Хлудков, О. Б. Корецкая, А. В. Тяжев

    by Хлудков, Станислав Степанович | Корецкая, Ольга Борисовна | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    196.
    Электрические характеристики детекторных структур на основе арсенида галлия, компенсированного хромом Л. С. Окаевич, О. П. Толбанов, А. В. Тяжев

    by Окаевич, Людмила Стефановна | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    197.
    Моделирование процессов разделения и сбора заряда в GaAs детекторах с учетом эффектов захвата Г. И. Айзенштат, В. И. Кудрявцев, О. П. Тобанов

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Кудрявцев, В. И | Толбанов, Олег Петрович.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    198.
    Электростатические поля, связанные с оптическими колебаниями в сверхрешетке (GaAs)n(AlAs)m[001] В. Г. Тютерев

    by Тютерев, Валерий Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    199.
    Электронная энергетическая структура кластеров мышьяка в GaAs А. А. Софронов

    by Софронов, А. А.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    200.
    Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных p-i-n структур на основе компенсированного арсенида галия О. Г. Шмаков

    by Шмаков, Олег Геннадьевич.

    Source: Физика твердого тела : материалы VII Российской научной студенческой конференции, 16-18 мая 2000 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :