Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 2 results.

    1.
    Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т

    by Толбанов, Олег Петрович | Вилисова, Мария Дмитриевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Хлудков, Станислав Степанович | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    2.
    Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими центрами Fe, Cr и EL2 диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 1.3.11 Верхолетов Максим Георгиевич ; науч. рук. Прудаев И. А. ; Нац. исслед. Томский гос. ун-т

    by Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2022Availability: No items available :