Normal view
MARC view
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами С. С. Хлудков, О. П. Толбанов, М. Д. Вилисова, И. А. Прудаев ; под ред. О. П. Толбанова ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Description: 256 с. ил., таблISBN: 9785946215565Other title: Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers [Parallel title]Subject(s): арсенид галлия легированный | примеси переходных металлов | легирование полупроводников примесное | легирование полупроводников диффузионное | легирование эпитаксиальных слоев | арсенида галлия π-v-n-структуры | S-диоды лавинные переключающие | детекторы ионизирующих излучений | фотоприемники многоэлементные УФ диапазона | фоторезисторные приемники ИК-излучения | генераторы терагерцевого диапазона | арсенида галлия высокоомные слои | пассивация интегральных схем | арсенид галлия легированный марганцем | арсенид галлия легированный железом | арсенид галлия ферромагнитный | гетероструктуры арсенида галлия ферромагнитного | полупроводники ферромагнитные | спинтроника, материалы | генераторы дельта-импульсов | электронные структуры арсенида галлияGenre/Form: монографии Online resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-057681 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000942531 |
Библиогр.: с. 228-253
There are no comments on this title.