Normal view
MARC view
Исследование электронно-дырочных переходов и структур в эпитаксиальном арсениде галлия, выращенном из газовой фазы диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук М. Д. Вилисова ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-техн. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1972Description: 188 л. илSubject(s): диссертации | полупроводники арсенидгаллиевые | электронно-дырочные переходы | арсенид галлия эпитаксиальный | p-n переходы | эпитаксиальные слои арсенида галлияOnline resources: Click here to access online
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-017510 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000881700 |
Библиогр.: л. 175-185
Доступ в сети ТГУ
There are no comments on this title.