Normal view
MARC view
Анизотропия легирования и электрофизические свойства автоэпитаксиального арсенида галлия диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Ю. Г. Катаев ; науч. рук. Л. Г. Лаврентьева ; Сиб. физ.-тех. ин-т им. В. Д. Кузнецова при Том. гос. ун-те им. В. В. Куйбышева
Material type:
TextPublication details: Томск [б. и.] 1972Description: 181 л. рисSubject(s): диссертации | арсенид галлия эпитаксиальный | автоэпитаксия полупроводников | легирование полупроводников | кристаллы арсенида галлия | анизотропия легирования | выращивание кристаллов полупроводников | электрофизические свойства арсенида галлия | анизотропия роста кристаллов | донорно-акцепторные комплексы
| Item type | Current library | Call number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 2-017659 (Browse shelf (Opens below)) | Available | 13820000885151 |
Библиогр.: л. 170-178
There are no comments on this title.