|
|
1.
|
Фотовольтаические детекторы ионизирующих излучений на основе эпитаксиального GaAs, компенсированного хромом М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, Е. П. Другова и др. by Вилисова, Мария Дмитриевна | Гермогенов, Валерий Петрович | Другова, Е. П | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Пономарев, Иван Викторович | Пороховниченко, Лидия Петровна | Толбанов, Олег Петрович | Чубирко, Валентина Анатольевна. Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
2.
|
Эпитаксиальные структуры из арсенида галлия для детекторов ионизирующих излучений Д. Л. Будницкий, В. П. Гермогенов, А. А. Ларионов [и др.] by Будницкий, Давыд Львович | Гермогенов, Валерий Петрович | Ларионов, А. А | Пороховниченко, Лидия Петровна | Потапов, Александр Иванович | Романова, А. Е | Толбанов, Олег Петрович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
