Normal view
MARC view
Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоев n-GaAs Диссертационная работа на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. 01.04.10 Науч. рук. С. С. Хлудков; Том. гос. ун-т
Material type:
TextPublication details: Томск 2000Description: 150 л. илSubject(s): диссертации | полупроводники легированные | твердые тела | поверхностные явления в полупроводниках | электронно-дырочная плазма | термоионизация полупроводников | диффузия в полупроводниках | некогерентные источники света | фотонное излучение | лазерное излучение | термический отжиг быстрый | лазерный отжиг | электронный отжиг | электронные пучки | радиационно-термические технологии (полупроводники) | имплантированные слои | полупроводниковые структуры | электроны | напряжения | ионизация | арсенид галлия | ионная имплантация | электроактивация
| Item type | Current library | Call number | Copy number | Status | Date due | Barcode |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Выдается в читальный зал | Книгохранилище | 1-838324к (Browse shelf (Opens below)) | 1 | Available | 13820000197596 |
Библиогр.: л. 142-149
There are no comments on this title.