Влияние состава и структуры интерфейсных слоев на адгезионные свойства границы раздела TiAl/Al2O3 А. В. Бакулин, С. О. Каспарян, С. Е. Кулькова
Material type:
ArticleContent type: Текст Media type: электронный Other title: Influence of composition and structure of interfacial layers on the adhesion properties of the TiAl/Al2O3 interface [Parallel title]Subject(s): граница раздела | адгезия | электронная структура | теория функционала электронной плотности | экспериментальные исследованияGenre/Form: статьи в журналах Online resources: Click here to access online
In:
Известия высших учебных заведений. Физика Т. 66, № 9. С. 37-46Abstract: Методом проекционных присоединенных волн в рамках теории функционала электронной плотности проведено систематическое изучение химической связи на границе раздела γ-TiAl/α-Al2O3(0001) c промежуточными металлическими, оксидными и нитридными слоями. Рассчитаны значения энергии адгезии на интерфейсах в зависимости от плоскости разрыва. Показано, что в случае металлических слоев адгезия существенно понижается на границе раздела TiAl/Me, однако остается высокой на интерфейсе Me/α-Al2O3(0001)O, что обусловлено ионным вкладом в механизм химической связи. Результаты расчетов указывают, что оксиды примесей состава Me2O5 и MeO3 существенно влияют на адгезию, причем разрушение будет иметь место в оксиде примеси. Напротив, адгезия на интерфейсе TiN/Al2O3 достигает высоких значений, однако на TiAl/TiN интерфейсе понижается до 5.65 Дж/м2.
Библиогр.: 36 назв.
Ограниченный доступ
Методом проекционных присоединенных волн в рамках теории функционала электронной плотности проведено систематическое изучение химической связи на границе раздела γ-TiAl/α-Al2O3(0001) c промежуточными металлическими, оксидными и нитридными слоями. Рассчитаны значения энергии адгезии на интерфейсах в зависимости от плоскости разрыва. Показано, что в случае металлических слоев адгезия существенно понижается на границе раздела TiAl/Me, однако остается высокой на интерфейсе Me/α-Al2O3(0001)O, что обусловлено ионным вкладом в механизм химической связи. Результаты расчетов указывают, что оксиды примесей состава Me2O5 и MeO3 существенно влияют на адгезию, причем разрушение будет иметь место в оксиде примеси. Напротив, адгезия на интерфейсе TiN/Al2O3 достигает высоких значений, однако на TiAl/TiN интерфейсе понижается до 5.65 Дж/м2.
There are no comments on this title.