Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

    • Your search returned 6 results.

    1.
    No cover image available
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    2.
    No cover image available
    Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    3.
    No cover image available
    Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    4.
    No cover image available
    Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Ластовка Владимир Викторович ; науч. рук. Котляревский М. Б., Носков Д. А. ; Том. ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники

    by Ластовка, Владимир Викторович | Котляревский, Марк Борисович [ths] | Носков, Д. А [ths] | Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1983Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    5.
    No cover image available
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart
    6.
    Новые материалы электронной техники сборник научных трудов Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов

    by Кузнецов, Федор Андреевич, 1932-2014 [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1990Availability: No items available :
    Log in to add tags Add to cart