Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 13 results.

    1.
    Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия О. В. Литвинюк, В. Л. Костенко, Л. Б. Дмитриева

    by Литвинюк, О. В | Костенко, В. Л | Дмитриева, Л. Б.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition V. G. Bozhkov, A. V. Shmargunov, T. P. Bekezina [et.al.]

    by Shmargunov, A. V | Bekezina, T. P | Torkhov, Nikolay A | Novikov, Vladimir A | Bozhkov, V. G | Томский государственный университет Химический факультет Научные подразделения ХФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Journal of applied physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем В. И. Шишкин, В. Л. Вакс, Е. А. Вопилкин [и др.]

    by Шашкин, В. И | Вакс, В. Л | Вопилкин, Е. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна Михайловна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    6.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    7.
    К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    8.
    Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.]

    by Чалдышев, Владимир Викторович | Путято, Михаил Альбертович | Семянгин, Б. Р | Преображенский, Валерий Владимирович | Пчеляков, Олег Петрович | Хан, А. В | Канаев, В. Г | Широкова, Л. С | Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Лиленко, Ю. В | Карпович, Нина Васильевна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    10.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Максимова, Надежда Кузьминична | Филонов, Николай Григорьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    11.
    Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торхов Николай Анатольевич ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т, ОАО НИИПП

    by Торхов, Николай Анатольевич | Божков, Владимир Григорьевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2007Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    12.
    Новые материалы электронной техники сборник научных трудов Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов

    by Кузнецов, Федор Андреевич, 1932-2014 [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1990Availability: No items available :
    13.
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :