Scientific Library of Tomsk State University

   E-catalog        

Refine your search


База знаний по целевым капиталам

  •    Эндаумент
       Фандрайзинг
       Нормативные документы

  • Your search returned 43 results.

    1.
    The radiation defects introduction in InP shottky diodes V. V. Peshev, E. G. Soboleva

    by Peshev, V. V | Soboleva, E. G.

    Source: Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V", 3-5 октября 2006 г., Томск, Россия : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    2.
    Electrophysical characteristics of Sub-THz diode with Schottky barrier V. D. Moskalenko, A. V. Badin, D. A. Pidotova

    by Moskalenko, Victoriya D | Badin, Alexander V | Pidotova, Diana A.

    Source: 2020 21st International conference of young specialists on micro/nanotechnologies and electron devices (EDM)Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    3.
    Исследование контакта Au-ZrN-n- GaAs с барьером Шоттки М. Р. Федюнина, В. А. Бурмистрова, О. В. Дейс, Н. В. Земскова

    by Федюнина, М. Р | Бурмистрова, В. А | Дейс, О. В | Земскова, Н. В.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    4.
    Исследование структуры контактов с барьером Шоттки к арсениду галлия О. В. Литвинюк, В. Л. Костенко, Л. Б. Дмитриева

    by Литвинюк, О. В | Костенко, В. Л | Дмитриева, Л. Б.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    5.
    Низкобарьерные диоды Шоттки на основе Al/n-GaAs с дельта-легированным приповерхностным слоем В. И. Шишкин, В. Л. Вакс, Е. А. Вопилкин [и др.]

    by Шашкин, В. И | Вакс, В. Л | Вопилкин, Е. А.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    6.
    The Ir-n-GaAs Schottky barrier contacts made by electrochemical deposition V. G. Bozhkov, A. V. Shmargunov, T. P. Bekezina [et.al.]

    by Shmargunov, A. V | Bekezina, T. P | Torkhov, Nikolay A | Novikov, Vladimir A | Bozhkov, V. G | Томский государственный университет Химический факультет Научные подразделения ХФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Journal of applied physicsMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    7.
    8.
    Влияние нормального распределения высоты барьера на характеристики контакта с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

    Source: Физика твердого тела : материалы IX Российской научной студенческой конференции, 12-14 мая 2004 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    9.
    10.
    Некоторые проблемы физики реальных контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки В. Г. Божков

    by Божков, Владимир Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    11.
    Низкочастотный шум в неоднородных контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки О. В. Васильев, В. Г. Божков

    by Васильев, О. В | Божков, Владимир Григорьевич.

    Source: Физика твердого тела : тезисы докладов V Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 1996 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    12.
    Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом А. Н. Зарубин, А. Д. Лозинская, В. А. Новиков и др.

    by Зарубин, Андрей Николаевич | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Other title: Temperature dependences of current-voltage characteristics of radiation imaging sensors based on GaAs:Cr.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    13.
    Значение высоты барьера Шоттки и расчет ВАХ диодов Al/n-(SiC)1-x(AlN)x и гетеропереходов на основе 4H-SiC В. И. Алтухов, А. В. Санкин, В. Ф. Антонов [и др.]

    by Санкин, Александр Викторович | Антонов, Владимир Феохарович | Филипова, Светлана Валерьевна | Митюгова, Ольга Александровна | Алтухов, Виктор Иванович.

    Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    14.
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом атомно-силовой микроскопии В. А. Новиков, Ю. Н. Назарчук

    by Новиков, Вадим Александрович | Назарчук, Юлия Николаевна.

    Source: Физика твердого тела : сборник материалов XI Российской научной студенческой конференции, 13-15 мая 2008 г., Томск, РоссияMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    15.
    "Низкотемпературная аномалия" в контактах "металл - полупроводник" с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

    Source: Физика твердого тела : материалы VIII Российской научной студенческой конференции, 14-16 мая 2002 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    16.
    Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева

    by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна Михайловна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    17.
    К вопросу о природе низкотемпературных избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Труды V международной конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения, АПЭП-2000", Новосибирск, 26-29 сентября 2000: В 7 т.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    18.
    Повышение квантовой эффективности ИК-фотоприемников на основе PtSi-Si С. Н. Несмелов

    by Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Современные проблемы физики и технологии : (сборник статей молодых ученых)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    19.
    Детекторы терагерцового излучения А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, А. А. Мельников и др.

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович доктор физ.-мат. наук | Мальцев, Петр Павлович | Несмелов, Сергей Николаевич.

    Source: Высокие технологии в промышленности России : (материалы и устройства функциональной электроники и микрофотоники) : материалы XVIII Международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012, 6-8 сентября). Тонкие пленки в электронике : материалы XXV Международного симпозиума (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012, 6-8 сентября). Наноинженерия : материалы V Международной научно-технической конференции (Москва, МГТУ им. Н. Э. Баумана, 2012, 6-8 сентября)Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    20.
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович.

    Source: Физика : материалы XLVIII международной научной студенческой конференции "Студент и научно-технический прогресс", 10-14 апреля 2010 г.Material type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    21.
    Устойчивость к внешним воздействиям гетероструктур Me/Ga2Se3/GaAs с барьером Шоттки В. И. Арсентьев, Н. Н. Безрядин, Э. П. Домашевская, Г. И. Котов

    by Арсентьев, И. Н | Безрядин, Николай Николаевич | Домашевская, Эвелина Павловна | Котов, Геннадий Иванович.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    22.
    К вопросу о природе избыточных токов в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs Н. Г. Филонов

    by Филонов, Николай Григорьевич.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    23.
    Исследование поверхностного потенциала полупроводниковых структур с барьером Шоттки методом АСМ Ю. Н. Назарчук, В. А. Новиков, Н. А. Торхов

    by Назарчук, Юлия Николаевна | Новиков, Вадим Александрович | Торхов, Николай Анатольевич | Томский государственный университет Физический факультет Публикации студентов и аспирантов ФФ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ.

    Source: Молодежная научная конференция Томского государственного университета, 2009 г. Вып. 2Material type: Article Article; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    24.
    Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.]

    by Чалдышев, Владимир Викторович | Путято, Михаил Альбертович | Семянгин, Б. Р | Преображенский, Валерий Владимирович | Пчеляков, Олег Петрович | Хан, А. В | Канаев, В. Г | Широкова, Л. С | Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Лиленко, Ю. В | Карпович, Нина Васильевна.

    Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    25.
    Полупроводниковые СВЧ-приборы В. Г. Божков, В. С. Лукаш

    by Божков, Владимир Григорьевич | Лукаш, Виталий Сергеевич.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    26.
    Comparative study of SI GaAs detectors with Schottky barriers and epitaxial hing-doped layers E. Verbitskaya, T. J. Bowles, V. Eremin [et.al.]

    by Verbitskaya, E | Bowles, T. J | Eremin, V. K.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    27.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs А. П. Вяткин, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов

    by Вяткин, Анатолий Петрович | Максимова, Надежда Кузьминична | Филонов, Николай Григорьевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    28.
    Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Торхов Николай Анатольевич ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т, ОАО НИИПП

    by Торхов, Николай Анатольевич | Божков, Владимир Григорьевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2007Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    29.
    Природа "низкотемпературной аномалии" в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки В. Г. Божков, С. Е. Зайцев

    by Божков, Владимир Григорьевич | Зайцев, С. Е.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    30.
    Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Ластовка Владимир Викторович ; науч. рук. Котляревский М. Б., Носков Д. А. ; Том. ин-т автоматизированных систем управления и радиоэлектроники

    by Ластовка, Владимир Викторович | Котляревский, Марк Борисович [ths] | Носков, Д. А [ths] | Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 1983Availability: No items available :
    31.
    Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов

    by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ.

    Source: Вестник Томского государственного университетаMaterial type: Article Article; Format: electronic available online remote Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    32.
    Фотодиоды учебное пособие [сост. В. П. Гермогенов] ; Том. гос. ун-т, Радиофиз. фак.

    by Гермогенов, Валерий Петрович [com] | Томский государственный университет Радиофизический факультет.

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Publication details: Томск [б. и.] 2008Availability: No items available :
    33.
    Полупроводниковая электроника Электронный ресурс учебно-методический комплекс : [для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению 03.03.03 «Радиофизика»] Гермогенов В. П., Вячистая Ю. В. ; Том. гос. ун-т, [Ин-т дистанционного образования]

    by Гермогенов, Валерий Петрович | Вячистая, Юлия Валерьевна | Томский государственный университет Институт дистанционного образования.

    Material type: Computer file Computer file; Format: electronic available online remote Publication details: Томск [ИДО ТГУ] 2015Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    34.
    Исследование низкочастотных флуктуаций тока в прямой ветви ВАХ структур с барьером Шоттки на GaAs в области низких температур Н. Г. Филонов, Н. К. Максимова

    by Филонов, Николай Григорьевич | Максимова, Надежда Кузьминична.

    Source: Восьмая российская конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V". GaAs-2002, 1-4 октября 2002 г. : материалы конференцииMaterial type: Article Article; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Availability: No items available :
    35.
    Нелинейная зависимость высоты барьера от смещения и природа аномалий характеристик контактов с барьером Шоттки диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 Шмаргунов Антон Владимирович ; науч. рук. Божков В. Г. ; Том. гос. ун-т

    by Шмаргунов, Антон Владимирович | Божков, Владимир Григорьевич [ths] | Томский государственный университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск [б. и.] 2015Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    36.
    Контакты металл-полупроводник: физика и модели В. Г. Божков ; Науч.-исслед. ин-т полупроводниковых приборов (АО "НИИПП")

    by Божков, Владимир Григорьевич.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2016Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    37.
    Новые материалы электронной техники сборник научных трудов Акад. наук СССР, Сиб. отд-ние, Ин-т неорган. химии ; отв. ред. Ф. А. Кузнецов

    by Кузнецов, Федор Андреевич, 1932-2014 [edt].

    Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Новосибирск Наука, Сибирское отделение 1990Availability: No items available :
    38.
    Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия [монография] Н. Г. Филонов, И. В. Ивонин ; Нац. исслед. Том. гос. ун-т, Том. гос. пед. ун-т ; [под ред. Н. Г. Филонова]

    by Филонов, Николай Григорьевич | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Томский государственный университет | Томский государственный педагогический университет.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Томск Издательский Дом Томского государственного университета 2018Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    39.
    Физика полупроводниковых приборов А. И. Лебедев

    by Лебедев, Александр Иванович.

    Material type: Text Text; Format: electronic available online remote; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Publication details: Москва Физматлит 2008Online access: Click here to access online Availability: No items available :
    40.
    Физика полупроводниковых приборов [Учебное пособие для вузов по специальностям: "Радиофизика и электроника", "Оптоэлектронные приборы и системы"] В. И. Гаман

    by Гаман, Василий Иванович, 1929-2021.

    Material type: Text Text; Format: print Publication details: Томск Издательство научно-технической литературы 2000Availability: No items available :
    41.
    Основы микросхемотехники А. Г. Алексенко

    by Алексенко, Андрей Геннадьевич.

    Series: Технический университетEdition: Изд. 3-еMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: М. БИНОМ. Лаб. знаний 2006Availability: No items available :
    42.
    Основы микросхемотехники А. Г. Алексенко

    by Алексенко, Андрей Геннадьевич.

    Series: Технический университетEdition: Изд. 3-еMaterial type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: Москва БИНОМ. Лаборатория знаний 2017Availability: No items available :
    43.
    Твердотельная электроника учебное пособие : [для вузов по специальности 010701 "Физика"] В. Гуртов

    by Гуртов, Валерий Алексеевич.

    Series: Мир электроникиEdition: 2-е изд., доп.Material type: Text Text; Format: print ; Literary form: Not fiction Language: Russian Publication details: Москва Техносфера 2005Availability: No items available :