|
|
1.
|
Вольт-амперные характеристики структур арсенида галлия с барьером Шоттки, полученных с использованием очистки поверхности в потоке атомарного водорода Г. И. Айзенштат, В. Г. Божков, В. А. Кагадей, Т. М. Табакаева by Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Кагадей, Валерий Алексеевич | Табакаева, Татьяна Михайловна. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
2.
|
Интегральные схемы на основе арсенида галлия, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии В. В. Чалдышев, М. А. Путято, Б. Р. Семянгин [и др.] by Чалдышев, Владимир Викторович | Путято, Михаил Альбертович | Семянгин, Б. Р | Преображенский, Валерий Владимирович | Пчеляков, Олег Петрович | Хан, А. В | Канаев, В. Г | Широкова, Л. С | Голиков, А. В | Кагадей, Валерий Алексеевич | Лиленко, Ю. В | Карпович, Нина Васильевна. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИППMaterial type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
