Normal view
MARC view
Зависимость критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в системе GexSi1-x/Si от температуры и состава А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, К. А. Лозовой
Material type: ArticleSubject(s): Странского-Крастанова переход | полупроводники | критическая толщинаGenre/Form: статьи в сборниках Online resources: Click here to access online In: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладов С. 99No physical items for this record
Библиогр.: 7 назв.
There are no comments on this title.