Научная библиотека ТГУ catalog › Results of search for 'su:"Странского-Крастанова переход"'

Search

Your search returned 3 results.

	1.	No cover image available Comparative analysis of germanium-silicon quantum dots formation on Si(100), Si(111) and Sn/Si(100) surfaces K. A. Lozovoy, A. P. Kokhanenko, A. V. Voitsekhovskii by Lozovoy, Kirill A \| Kokhanenko, Andrey P \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: NanotechnologyMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	2.	No cover image available Comparison of the growth processes of germanium quantum dots on the Si (100) and Si(111) surfaces A. P. Kokhanenko, K. A. Lozovoy, A. V. Voitsekhovskii by Kokhanenko, Andrey P \| Lozovoy, Kirill A \| Voytsekhovskiy, Alexander V. Source: Russian physics journalMaterial type: Article; Format: electronic available online Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)
	3.	No cover image available Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si К. А. Лозовой, А. П. Коханенко, А. В. Войцеховский by Лозовой, Кирилл Александрович \| Коханенко, Андрей Павлович \| Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудовMaterial type: Article; Format: electronic available online ; Literary form: Not fiction ; Audience: Specialized; Other title: Calculation of а critical thickness of Stranski-Krastanow transition in GeSi/Sn/Si system.Online access: Click here to access online Availability: No items available : Log in to add tags Add to cart (remove)