|
|
1.
|
Электрические характеристики МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0,29–0,31) с резкими неоднородностями по составу А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type:  Article; Format:
electronic
available online
 Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
2.
|
Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
3.
|
Адмиттанс структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе HgCdTe с приповерхностными широкозонными слоями, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Фотоника-2015 : Российская конференция по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 12-16 октября 2015 г., Новосибирск : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
4.
|
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
5.
|
Исследование дифференциального сопротивления МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями для ИК-детекторов А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.] by Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Сидоров, Георгий Юрьевич. Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: Investigation of differential resistance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers for IR detectors.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
6.
|
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3 А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
7.
|
Влияние имплантации ионов As+ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок n-Hg0.78Cd0.22Te А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Марин, Денис Викторович. Source: Письма в журнал технической физикиMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
8.
|
Воздействие оптического излучения на адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ n-Hg0.78Cd0.22Te с приповерхностными варизонными слоями А. В. Войцеховский, Н. А. Кульчицкий, С. Н. Несмелов [и др.] by Кульчицкий, Николай Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференцииMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Other title: The effect of optical radiation on the admittance of MIS structures based on MBE n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
9.
|
Адмиттанс МДП-структур на основе HgCdTe с двухслойным диэлектриком CdTe/Al2O3 С. М. Дзядух, А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов и др. by Дзядух, Станислав Михайлович | Несмелов, Сергей Николаевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
10.
|
Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ N-HG 1-ХCD ХTE (X = 0.31-0.32) в диапазоне температур 8-300 К А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
11.
|
Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного Hg1-хCdхTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs и Si А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
12.
|
Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg1–xCdxTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
13.
|
Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич физик | Якушев, Максим Витальевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
14.
|
Особенности адмиттанса МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-HgCdTe (x = 0,22—0,23) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ | Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
15.
|
Особенности адмиттанса МДП структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0,30) А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух [и др.] by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Features of the admittance of MIS structures based on MBE p-Hg1-xCdxTe (x = 0.30).Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
16.
|
Определение дефектности приповерхностного слоя полупроводниковых гетероструктур на основе МЛЭ HgCdTe при измерении адмиттанса МДП-структур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладовMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
17.
|
Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
18.
|
Определение спектров поверхностных состояний при значительном гистерезисе электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич. Source: Известия высших учебных заведений. ФизикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Other title: Determination of the surface states spectra from electrical characteristics with a significant hysteresis for mis structures based on MBE HgCdTe.Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
|
|
19.
|
Исследование полной проводимости МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-HgCdTe (x = 0,22—0,23 и 0,31—0,32) в широком диапазоне температур А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух и др. by Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич физик | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич физик | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники | Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ. Source: Прикладная физикаMaterial type: Article; Format:
electronic
available online
Online access: Click here to access online Availability: No items available :
|
