|
|
1.
|
|
|
|
2.
|
Особенности структуры монокристаллов GaAs, легированных кремнием, выращенных методом Чохральского из-под слоя флюса B2O3 В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. В. Жевнеров, А. В. Марков by Бублик, Владимир Тимофеевич | Щербачев, Кирилл Дмитриевич | Жевнеров, Евгений Владимирович | Марков, Александр Владимирович физик. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type:  Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
3.
|
Наноразмерные кластеры мышьяка в GaAs В. В. Чалдышев by Чалдышев, Владимир Викторович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
|
|
4.
|
|
|
|
5.
|
|
|
|
6.
|
|
|
|
7.
|
|
|
|
8.
|
|
|
|
9.
|
|
|
|
10.
|
Характеризация радиационных эффектов в арсениде галлия В. Н. Брудный by Брудный, Валентин Натанович. Source: Материалы седьмой российской конференции "Арсенид галлия" "GaAs-99", Томск, 21-23 октября, 1999 г. : посвящается 35-летию ФГУП "НИИПП"Material type: Article; Format:
print
; Literary form:
Not fiction
; Audience:
Specialized;
Availability: No items available :
|
